ICT 기업 한국후지쯔(대표 박형구 최재일)는 후지쯔연구소가 송신용 고출력 증폭기를 개발했다고 28일 밝혔다.
이 증폭기는 W대역(75∼110 ㎓)을 통해 대용량 무선 네트워크에 적용할 수 있도록 질화갈륨(GaN) 고전자이동도트랜지스터(HEMT)로 구성했다. 이번 개발은 GaN-HEMT의 내부 저항과 누설전류를 감소해 트랜지스터 성능을 높였다.
기존 W대역 전송용 파워앰프의 출력밀도는 후지쯔연구소가 앞서 개발한 게이트 폭 1㎜당 3.6와트가 세계 최고 수치였다. 이번 개발로, 게이트 폭 1㎜당 4.5와트로 크게 향상했고 누설전류 억제 기술로 기존 대비 26%저감 저소비전력화를 실현했다.
한국후지쯔 관계자는 "파워엠프를 이용해 2지점 간을 무선통신시스템으로 잇는 경우에는 10㎞이상, 10Gb/초 이상의 장거리 대용량 통신이 가능하다"고 설명했다.
임성엽기자 starleaf@dt.co.kr
GaN-HEMT파워엠프 칩. :한국후지쯔 제공
이 증폭기는 W대역(75∼110 ㎓)을 통해 대용량 무선 네트워크에 적용할 수 있도록 질화갈륨(GaN) 고전자이동도트랜지스터(HEMT)로 구성했다. 이번 개발은 GaN-HEMT의 내부 저항과 누설전류를 감소해 트랜지스터 성능을 높였다.
기존 W대역 전송용 파워앰프의 출력밀도는 후지쯔연구소가 앞서 개발한 게이트 폭 1㎜당 3.6와트가 세계 최고 수치였다. 이번 개발로, 게이트 폭 1㎜당 4.5와트로 크게 향상했고 누설전류 억제 기술로 기존 대비 26%저감 저소비전력화를 실현했다.
한국후지쯔 관계자는 "파워엠프를 이용해 2지점 간을 무선통신시스템으로 잇는 경우에는 10㎞이상, 10Gb/초 이상의 장거리 대용량 통신이 가능하다"고 설명했다.
임성엽기자 starleaf@dt.co.kr
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