내년 7㎚ 이어 기술 고도화 계획
1위 TSMC '2019년 5㎚' 넘어서
"초연결 시대 반도체 역할 커져
최적 맞춤형 솔루션 제공할 것"
1위 TSMC '2019년 5㎚' 넘어서
"초연결 시대 반도체 역할 커져
최적 맞춤형 솔루션 제공할 것"
[디지털타임스 박정일 기자] 삼성전자가 오는 2020년까지 4㎚(나노미터·10억분의 1ｍ) 파운드리(반도체 위탁생산) 공정을 도입하겠다고 밝혔다.
삼성전자는 24일(현지시간) 미국 산타클라라에서 '삼성파운드리포럼'을 열고 반도체 미세공정 로드맵과 신규 솔루션을 발표했다. 이번 포럼은 삼성전자가 파운드리사업부를 출범한 뒤 처음 열린 행사다.
삼성전자는 이 행사에서 오는 2020년까지 반도체 미세공정을 4㎚까지 낮추겠다는 계획을 공개했다. 이는 세계 파운드리 1위인 TSMC가 오는 2019년까지 5㎚를 구현하겠다고 공개한 것보다 한발 더 나아간 목표다.
삼성전자는 우선 올해에는 현존 노광장비로 구현할 수 있는 가장 경쟁력 있는 미세공정인 8㎚ LPP(Low Power Plus) 공정개발을 올해 안에 완료할 계획이다. 이어 내년에는 ASML과 협력해 만든 새 극자외선노광장비(EUV)를 적용해 7㎚ 공정을 도입하고 2019년에는 6㎚, 2020년에는 4㎚의 미세공정을 도입한다고 소개했다.
삼성전자는 7㎚ 공정에 독자적으로 개발한 '스마트 스케일링 솔루션'을 적용해 집적도와 저전력 특성을 구현하고, 4㎚에는 기존 핀펫 구조의 한계를 넘은 삼성전자의 차세대 트랜지스터 구조인 MBCFET을 적용한다고 설명했다.
아울러 현재 양산 중인 28㎚ FD-SOI(완전 공핍형 실리콘-온-인슐레이터) 공정에 저전력 특성을 강화한 차세대 솔루션인 18㎚ FD-SOI도 오는 2020년까지 공정 개발을 완료할 것이라고 덧붙였다.
윤종식 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 "모든 기기가 연결되는 '초연결 시대'에는 반도체의 역할도 커지고 있다"며 "삼성전자는 광범위한 첨단 공정 로드맵을 보유한 파운드리 파트너로서 고객에게 최적의 맞춤형 솔루션을 제공할 것"이라고 말했다.
한편 삼성전자는 파운드리 고객, 사업 파트너들과 기술 방향을 공유하며 협력을 강화하고자 작년부터 한국, 미국, 중국에서 파운드리포럼을 열고 있다. 이날 행사에는 고객사와 파트너사 관계자 400여명이 참석했다.
박정일기자 comja77@dt.co.kr
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