NMBIⅡ, 전기저항 낮아 고속 데이터 전달
현재 개발된 스택 비아 공법들은 기판 홀을 가공한 뒤 비아 내부를 페이스트로 충진하고 위와 아래의 패드(pad)를 전기적으로 연결한다는 점에서 제조 프로세스는 대부분 비슷하나, 화학재료 및 접착제ㆍ도금ㆍ범프(Bump) 형성방법 등에 따라 각 공법마다 미묘한 차이가 있다.
◇알리브(ALIVH)〓홀을 레이저로 가공한 뒤 홀 내부를 실버 페이스트로 충진해 위와 아래의 패드를 연결하는 방식이다. 특히 이 공법은 임의의 층간에 IVH(Interstitial Via Hole)를 형성함으로써 회로설계 자유도와 부품실장 밀도를 높인 데다, 반도체를 베어칩 상태로 실장할 수 있다는 게 장점. 지난해 이 기술로 생산된 휴대폰 기판이 5000만대에 이른 것으로 추정되고 있다.
◇비스퀘어잇(B²IT)〓동박 위에 실버 페이스트를 여러 차례 인쇄하고 경화시켜 형성된 범프가 프리프레그를 뚫어 위와 아래의 패드를 연결하는 방식으로, 기존 빌드업 공법에 비해 기판 크기는 60%, 중량은 25% 이상 줄일 수 있다는 설명이다. 비스퀘어잇 기술이 적용된 휴대폰 생산량도 지난해 1200만대를 넘어선 것으로 알려졌다.
◇NMBIⅡ〓LG전자가 개발한 NMBIⅡ는 두께 18㎛의 동박 위에 순동을 에칭해 형성된 동 범프를 이용한 제조기술로, 레이저 비아(Laser Via)나 스루홀(TH) 없이도 고밀도 배선이 가능하고 전기저항이 낮아 데이터 전달속도가 빠른 게 장점이다. LG전자는 최신 이 공법을 적용한 MP3폰ㆍ카메라폰 기판 생산에 들어갔으며, 향후 IC용 서브스트레이트, 연성기판 부문으로 기술을 확산시킬 계획이다.
◇사비아(SAVIA)〓삼성전기의 자체 개발 공법으로, 한 층씩 연속해서 적층하는 기존 양산공법에 일부 신기술을 추가한 `전층 IVH 연속적층공법'(일명 `사비아Ⅱ')과 모든 층을 한꺼번에 적층해 IVH(Interstitial Via Hole)를 적용하는 `전층 IVH 일괄적층공법'(일명 `사비아Ⅲ') 2가지다. 이 공법은 기존의 빌드업 기판이 내재하고 있던 회로설계 자유도의 한계를 깨뜨린 획기적인 공법으로, 기판 크기를 20% 이상 줄일 수 있고, 기판 내 저항을 20∼30% 줄여 고속으로 데이터 처리를 할 수 있다는 게 회사측 설명이다.
현재 개발된 스택 비아 공법들은 기판 홀을 가공한 뒤 비아 내부를 페이스트로 충진하고 위와 아래의 패드(pad)를 전기적으로 연결한다는 점에서 제조 프로세스는 대부분 비슷하나, 화학재료 및 접착제ㆍ도금ㆍ범프(Bump) 형성방법 등에 따라 각 공법마다 미묘한 차이가 있다.
◇알리브(ALIVH)〓홀을 레이저로 가공한 뒤 홀 내부를 실버 페이스트로 충진해 위와 아래의 패드를 연결하는 방식이다. 특히 이 공법은 임의의 층간에 IVH(Interstitial Via Hole)를 형성함으로써 회로설계 자유도와 부품실장 밀도를 높인 데다, 반도체를 베어칩 상태로 실장할 수 있다는 게 장점. 지난해 이 기술로 생산된 휴대폰 기판이 5000만대에 이른 것으로 추정되고 있다.
◇비스퀘어잇(B²IT)〓동박 위에 실버 페이스트를 여러 차례 인쇄하고 경화시켜 형성된 범프가 프리프레그를 뚫어 위와 아래의 패드를 연결하는 방식으로, 기존 빌드업 공법에 비해 기판 크기는 60%, 중량은 25% 이상 줄일 수 있다는 설명이다. 비스퀘어잇 기술이 적용된 휴대폰 생산량도 지난해 1200만대를 넘어선 것으로 알려졌다.
◇NMBIⅡ〓LG전자가 개발한 NMBIⅡ는 두께 18㎛의 동박 위에 순동을 에칭해 형성된 동 범프를 이용한 제조기술로, 레이저 비아(Laser Via)나 스루홀(TH) 없이도 고밀도 배선이 가능하고 전기저항이 낮아 데이터 전달속도가 빠른 게 장점이다. LG전자는 최신 이 공법을 적용한 MP3폰ㆍ카메라폰 기판 생산에 들어갔으며, 향후 IC용 서브스트레이트, 연성기판 부문으로 기술을 확산시킬 계획이다.
◇사비아(SAVIA)〓삼성전기의 자체 개발 공법으로, 한 층씩 연속해서 적층하는 기존 양산공법에 일부 신기술을 추가한 `전층 IVH 연속적층공법'(일명 `사비아Ⅱ')과 모든 층을 한꺼번에 적층해 IVH(Interstitial Via Hole)를 적용하는 `전층 IVH 일괄적층공법'(일명 `사비아Ⅲ') 2가지다. 이 공법은 기존의 빌드업 기판이 내재하고 있던 회로설계 자유도의 한계를 깨뜨린 획기적인 공법으로, 기판 크기를 20% 이상 줄일 수 있고, 기판 내 저항을 20∼30% 줄여 고속으로 데이터 처리를 할 수 있다는 게 회사측 설명이다.
