젠슨 황 엔비디아 CEO(최고경영자)가 미국 새너제이에서 열린 'GTC 2024'에 참가한 삼성전자 부스를 찾아 차세대 고대역폭 메모리인 HBM3E에 친필 사인을 남겼다. 엔비디아와 삼성전자 간 HBM 파트너십 강화에 대한 기대감이 커지고 있다.
한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 총괄 부사장은 21일 자신의 SNS(사회관계망서비스)에 황 CEO가 삼성전자 부스를 방문한 모습과 HBM3E 12단 제품에 친필 사인을 남긴 사진을 올렸다.
황 CEO는 삼성전자의 HBM3E 12단 제품에 '젠슨 승인(approved)'이라고 적었다. 한 부사장은 "삼성의 HBM3E에 승인 도장을 찍어줘 기쁘다"며 "삼성 반도체와 엔비디아의 다음 행보가 기대된다"고 말했다.
삼성전자는 이번 콘퍼런스에서 업계 최초로 D램 칩을 12단까지 쌓은 5세대 HBM인 HBM3E 실물을 전시했다. 24Gb D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대인 36GB 용량을 구현했으며 올 상반기 양산할 예정이다.
황 CEO는 지난 19일(현지시간) 미디어 간담회에서 '삼성의 HBM을 사용하고 있나'라는 질문에 "아직 사용하고 있지 않다"면서도 "현재 테스트하고(qualifying) 있으며 기대가 크다"고 언급한 바 있다. 이에 업계에서는 삼성의 HBM3E가 엔비디아 AI 가속기에 탑재될 것으로 관측하고 있다.
황 CEO는 "HBM은 매우 복잡하고 어려운 기술로 기술적인 기적과도 같다. 그들은 겸손하다"면서, 삼성전자와 SK하이닉스를 동시에 치켜세우기도 했다.
윤선영기자 sunnyday72@dt.co.kr
젠슨 황 엔비디아 CEO(최고경영자)가 삼성 HBM3E에 남긴 사인. 한진만 삼성전자 부사장 SNS 캡처
