차 부사장은 이번 수훈에 대해 "회사를 대표해 받은 것"이라며 "지금도 다운턴 극복을 위해 애쓰고 있는 SK하이닉스 구성원과 수상의 영광을 나누고 싶다"고 소감을 밝혔다.
차 부사장은 10나노급 D램 테크 플랫폼을 도입해 다음 세대 미세 공정의 기틀을 마련하고, 2019년 당시 최고 속도인 HBM2E를 개발해 초고속 메모리의 발전을 주도한 공로를 인정받아 이번 혁신장을 수훈받았다. 테크 플랫폼은 어느 한 세대 제품에만 적용되는 기술이 아니라 여러 세대에 걸쳐 적용할 수 있는 '기술적 틀'을 의미한다. 1세대 D램에 처음 적용된 이 플랫폼은 이후 세대로 이어지며 SK하이닉스 D램 기술력의 기반이 됐다.
차 부사장은 이런 혁신과 성과의 저력으로 "구성원이 자유롭게 아이디어를 낼 수 있는 환경을 만들고, 그 아이디어를 어떻게 접목하고 풀어낼지 고민하고 도전했던 것이 주효했다"며 반도체 기술 개발에 있어 '원 팀'의 역할을 강조했다.
아울러 차 부사장은 세계 최초로 16Gb DDR5 D램을 출시해 대한민국 반도체 산업이 빅데이터와 서버 시장 우위를 점하는 데 기여했다.
또 반도체 미세화 경쟁이 치열해지고 공정 난이도가 증가하는 상황에서, 차 부사장은 10나노급 4세대 LPDDR4 D램 양산 시 극자외선(EUV) 노광 공정을 도입하고 각종 기술과 생산의 문제를 해결하는 노력으로 마침내 이를 적용한 제품 양산에 성공했다.
지난해부터 SK하이닉스 미래기술연구원을 맡고 있는 차 부사장은 메모리 플랫폼의 한계를 극복하고 컴퓨팅 환경 변화에 따른 새로운 기술을 준비하고 있다. 이와 관련 미래기술연구원은 역량 강화 차원에서 외부와의 파트너십과 협력을 추진하기 위해 다양한 학회와 포럼을 주최하고, 공식 웹사이트를 개설해 최신 연구 분야와 성과를 알리고 있다.
차 부사장의 최종 목표는 SK하이닉스의 '미래 비전'을 만들어 가는 것이다. 그는 "하나의 기술을 개발하는 일은 필요한 요소 기술 개발부터 시작해 몇 년에 걸친 장기간의 작업"이라며 "긴 시간이 필요한 만큼, 회사와 후배들을 위한 중장기적 로드맵을 그리고 이를 끊임없이 혁신하는 것이 나의 과업"이라고 말했다.전혜인기자 hye@dt.co.kr
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