[디지털타임스 박정일 기자] SK하이닉스가 현재 양산 중인 최고 미세공정인 3세대 10나노급(1z ㎚) 미세공정을 적용한 16Gb DDR4 D램을 개발했다. 메모리반도체 '다운턴'으로 고전 중인 가운데서도 제품 경쟁력을 한층 강화해 내년 시장 반등기를 준비하는 모습이다.
SK하이닉스는 이날 3세대 10나노급 D램 개발을 완료하고 올해 준비를 거쳐 내년부터 양산할 예정이라고 21일 밝혔다. 이는 삼성전자가 지난 3월 21일 처음으로 10나노급 D램(8Gb) 개발을 발표한 지 정확히 6개월 만이다. 삼성전자는 지난 9월부터 양산을 시작했다.
DDR은 표준형 D램에 비해 데이터 처리 속도가 얼마나 빠르냐에 따라 DDR2, DDR3 등으로 구분되는데, DDR4 규격에 3세대 10나노급 미세공정을 적용한 게 이번 제품이다.
SK하이닉스 측은 "단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현해 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 용량도 현존하는 D램 중 가장 크다"며 "2세대(1y) 제품보다 생산성을 약 27% 향상했으며, 초고가의 EUV(극자외선) 노광 공정 없이도 생산 가능해 원가 경쟁력도 갖췄다"고 소개했다.
이 제품의 데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 지원한다. 전력 효율도 대폭 높여 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 전력 소비를 약 40% 줄여준다. 통상 사무용 PC 한 대에 들어가는 8GB의 모듈을 만들 때 8Gb D램 8개가 필요하지만, 16Gb D램은 4개만 있어도 같은 용량을 구현할 수 있다.
회사 측은 특히 3세대 제품은 이전 세대 생산 공정에는 사용하지 않던 신규 물질을 적용해 D램 동작의 핵심 요소인 정전용량(Capacitance)을 극대화했다고 강조했다. 또 새로운 설계 기술을 도입해 동작 안정성도 높였다고 덧붙였다.
정전용량이란 데이터를 표시하는 전하를 저장할 수 있는 양을 뜻하고, 이 용량이 늘어나면 더 정확한 데이터 처리가 가능하다. 회사 측은 신규 물질과 새 설계 기술에 대해서는 "대외비"라며 구체적인 내용을 공개하지 않았다.
이정훈 D램개발사업 1z TF(테스크포스)장 담당은 "업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖춰, 고성능·고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품"이라며 "연내에 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것"이라고 말했다.
한편 SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 HBM3 등 다양한 응용처에 걸쳐 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해나갈 계획이다. 박정일기자 comja77@dt.co.kr
