"6월까지 양산수율 올리고 3Q양산"
[디지털타임스 박슬기 기자] SK하이닉스가 오는 4월 18나노미터(㎚) D램 시제품 생산에 들어간다.
21일 반도체 업계에 따르면 SK하이닉스는 4월부터 18㎚ D램 '엔지니어링샘플(ES)'을 고객사에 공급한다. SK하이닉스 관계자는 "개발자나 세트업체들에 18㎚ D램을 테스트할 수 있도록 4월에 시제품 형태로 나갈 것"이라며 "이후 6월까지 양산 수율을 끌어 올리는 램프업 과정을 거쳐 올 3분기에 양산할 계획"이라고 말했다.
SK하이닉스는 올해 말 D램 사업에서 25㎚는 30%, 21㎚는 60%, 18㎚는 10%의 비중으로 생산해 수익성을 강화할 계획이다.
1나노는 10억분의 1미터로 반도체 회로폭을 나타내는 단위다. 반도체 공정을 미세화할수록 전자 이동 거리가 짧아져 처리속도가 빨라지고 소비전력은 줄어든다. 또 제한적인 공간에 더 많은 데이터 용량을 집적할 수 있어 늘어나는 고용량 수요를 충족할 수 있다.
앞서 SK하이닉스는 10나노 후반급(1x) D램에 '아리우스'라는 개발코드명을 붙인 바 있다. SK하이닉스 관계자는 "아리우스는 라틴어로 '또 다른 세상'을 의미해 기술 한계를 극복하고 새로운 메모리 시장을 창조하자는 의지를 담았다"고 설명했다.
박슬기기자 seul@dt.co.kr
21일 반도체 업계에 따르면 SK하이닉스는 4월부터 18㎚ D램 '엔지니어링샘플(ES)'을 고객사에 공급한다. SK하이닉스 관계자는 "개발자나 세트업체들에 18㎚ D램을 테스트할 수 있도록 4월에 시제품 형태로 나갈 것"이라며 "이후 6월까지 양산 수율을 끌어 올리는 램프업 과정을 거쳐 올 3분기에 양산할 계획"이라고 말했다.
SK하이닉스는 올해 말 D램 사업에서 25㎚는 30%, 21㎚는 60%, 18㎚는 10%의 비중으로 생산해 수익성을 강화할 계획이다.
1나노는 10억분의 1미터로 반도체 회로폭을 나타내는 단위다. 반도체 공정을 미세화할수록 전자 이동 거리가 짧아져 처리속도가 빨라지고 소비전력은 줄어든다. 또 제한적인 공간에 더 많은 데이터 용량을 집적할 수 있어 늘어나는 고용량 수요를 충족할 수 있다.
앞서 SK하이닉스는 10나노 후반급(1x) D램에 '아리우스'라는 개발코드명을 붙인 바 있다. SK하이닉스 관계자는 "아리우스는 라틴어로 '또 다른 세상'을 의미해 기술 한계를 극복하고 새로운 메모리 시장을 창조하자는 의지를 담았다"고 설명했다.
박슬기기자 seul@dt.co.kr
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