HBM3E 12단제품 양산 돌입
수요대응 위해 생산능력 확대
온디바이스 AI 제품 개발도
수요대응 위해 생산능력 확대
온디바이스 AI 제품 개발도
김경륜 삼성전자 DS부문 메모리사업부 상품기획실 상무는 2일 자사 뉴스룸 기고문에서 "성장하는 생성형 인공지능(AI)용 수요 대응을 위해 HBM 캐파 확대와 함께 공급을 지속 늘려나갈 것"이라고 밝혔다.
삼성전자는 2016년 업계 최초로 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM 사업화를 시작하며 AI용 메모리 시장을 본격적으로 개척했다. 그러나 AI 서비스의 필수품으로 꼽히는 5세대 HBM 시장에는 뒤늦게 뛰어들며 주도권을 내줬다는 평가다. 이에 캐파(생산능력) 확대와 초격차 기술력으로 차세대 HBM 시장을 선점한다는 계획이다. 이와 관련, 경계현 삼성전자 DS 부문장(사장)도 지난달 26일 구성원 대상 경영 현황 설명회에서 "AI 초기 시장에서는 승리하지 못했으나 2라운드는 삼성전자가 가진 역량을 잘 집결해 승리해야 한다"고 강조한 바 있다.
이를 위해 삼성전자는 2분기 안으로 HBM3E 12단 제품 양산에 돌입한다. 김 상무는 "지난달부터 HBM3E 8단 제품의 양산에 들어갔고 고용량 제품에 대한 고객 니즈 증가세에 발맞춰 업계 최초로 개발한 12단 제품도 2분기 내 양산할 예정"이라며 "성장하는 생성형 AI용 수요 대응을 위해 HBM 캐파 확대와 함께 공급을 지속 늘려나갈 것"이라고 강조했다.
삼성전자는 업계 최초로 24Gb D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12단을 구현했다. 이와 관련, 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 지난 3월 미국 새너제이에서 열린 연례 개발자 콘퍼런스 'GTC 2024'에 꾸려진 삼성전자 부스를 찾아 HBM3E 12단 제품에 '젠슨 승인'(JENSEN APPROVED)이라고 적기도 했다.
증권가에서는 삼성전자의 올해 HBM3E 출하 비중이 전체 HBM 출하량의 70%를 상회할 것으로 내다보고 있다.
그는 "변화무쌍한 AI 시대에서 고객들이 원하는 시스템 디자인을 완벽히 이해하고 미래 기술 환경까지 고려해 시스템의 발전을 예측, 주도하기 위해서는 종합 반도체 역량을 십분 활용해야 한다"며 "차세대 HBM 초격차를 달성하고자 메모리뿐만 아니라 파운드리(반도체 위탁생산), 시스템LSI, AVP(어드밴스드패키징)의 차별화된 사업부 역량과 리소스를 총 집결해 경계를 뛰어넘는 차세대 혁신을 주도해 나갈 것"이라고 말했다. 그 일환으로 삼성전자는 올 초부터 차세대 HBM 전담팀을 구성해 맞춤형 HBM 최적화 연구·개발을 진행 중이다.
온디바이스 AI 관련 제품 또한 확대하고 있다. PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 LPCAMM2를 지난해 9월 개발했다. 기존 LPDDR 보다 대역폭이 넓어 데이터를 실시간으로 더 빠르게 처리할 수 있는 LLW(저지연고대역폭) D램도 개발 중이다.
또한 D램 기술 초격차 유지를 위해 10㎚ 이하 D램에 수직 채널 트랜지스터(VCT)를 활용하는 새로운 구조에 관한 연구 개발을 진행하고 있으며, 2030년 3D D램 상용화에 나설 계획이다. 김 상무는 "업계에서 단시간에 따라올 수 없는 종합 반도체 역량을 바탕으로 AI 시대에 걸맞은 최적의 솔루션을 지속적으로 선보일 것"이라고 덧붙였다.
윤선영기자 sunnyday72@dt.co.kr
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