황상준 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실장(부사장)은 26일(현지시간) 미국 캘리포니아주 마운틴뷰에서 열린 글로벌 반도체 학회 '멤콘 2024'에서 "양산 중인 3세대(HBM2E)와 4세대(HBM3)에 이어 12단 5세대 HBM과 32Gb 기반 128GB DDR5 제품을 상반기에 양산해 AI(인공지능) 시대 고성능 고용량 메모리 리더십을 이어가겠다"고 밝혔다.
특히 황 부사장은 올해 삼성전자의 HBM 출하량을 지난해보다 최대 2.9배로 늘릴 수 있을 것으로 예상했다. 앞서 삼성전자는 세계 최대 IT(정보기술)·가전 전시회 'CES 2024' 등에서 올해 HBM 출하 목표치를 전년 대비 2.5배로 제시한 바 있는데 고객사 수요에 따라 유연하게 대응할 수 있다는 점을 내비친 것이다.
삼성전자는 이번에 발표한 중장기 HBM 로드맵에서 지난해 출하량을 기준으로 HBM을 2026년에는 13.8배, 2028년에는 23.1배 출하할 계획을 소개했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리로서 현재 대규모 데이터 처리가 필요한 생성형 AI 구동에 필수적이라는 평가를 받고 있다. 지난해 말 기준 HBM 시장 점유율은 SK하이닉스가 50%, 삼성전자가 40%, 마이크론이 10% 내외를 각각 나눠 갖고 있다. 삼성전자는 12단을 쌓은 HBM을 기반으로 HBM3와 HBM3E 시장에서 주도권을 찾겠다는 계획이다.
삼성전자는 6세대 HBM인 HBM4의 경우 적층된 메모리의 가장 아래층에 컨트롤 장치인 버퍼 다이(Buffer Die)를 적용해 AI 시대 메모리 반도체 혁신을 이어가겠다고 공언했다. HBM4의 코드명은 '스노우볼트'로 정해졌다.
삼성전자는 '멤콘 2024'에서 HBM과 함께 CXL(컴퓨트익스플레스링크) 기술 기반 메모리도 선보였다. 최진혁 삼성전자 DS부문 미주 메모리연구소장(부사장)은 기조 연설에서 "메모리 용량 측면에서는 CXL 기술이, 대역폭 측면에서는 HBM이 미래 AI 시대를 주도해 나갈 것"이라고 말했다. CXL은 컴퓨팅 시스템에서 CPU(중앙처리장치)와 메모리, GPU(그래픽 처리장치), 저장장치 등을 보다 효율적으로 활용해 데이터 처리 속도를 높이는 고속 입출력 인터페이스 표준(PCIe) 기반의 차세대 인터페이스다. 메모리 용량 한계와 서버의 유연성을 확장한 만큼 반도체 업계에서는 기존의 아쉬움을 극복할 차세대 솔루션으로 꼽고 있다.
최 부사장은 "CXL은 메모리의 효율적인 관리가 가능하고 시스템의 안전성을 높일 수 있어 삼성전자만의 다양한 CXL 기반 솔루션을 통해 메모리 용량과 대역폭을 대거 향상시킬 수 있다"고 강조했다.윤선영기자 sunnyday72@dt.co.kr
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