지난해 대비 14%가량 늘 듯
시장조사업체 IC인사이츠는 22일(현지시간) 보고서에서 올해 세계 반도체 시설투자 규모 증가율을 애초 예상치인 8% 증가에서 14%로 수정한다고 밝혔다. 예상대로라면 올해 반도체 시설투자 규모는 1026억 달러로, 사상 첫 1000억 달러를 돌파한다.
이는 2016년 673억 달러와 비교하면 배 가까이 늘어난 것이다. 지난해 반도체 시설투자 규모는 삼성전자가 무려 27조3000억원(약 253억 달러)을 투자하면서 전년보다 무려 34% 늘어난 900억 달러를 기록했다.
보고서는 올해 역시 주요 반도체 업체들의 공격적 시설투자가 이어질 것으로 예측했다. 보고서는 우선 삼성전자는 올해 투자 규모를 작년보다 줄이겠다고 밝혔지만, 최소 200억 달러 이상 투자를 할 것이라고 분석했다. SK하이닉스는 올해 시설투자금으로 전년(10조 3000억원)보다 30% 이상 늘어난 13조 4000억원 이상을 집행할 계획이다.
여기에 중국 정부는 지난달 반도체 산업 진흥을 위한 3000억 위안(약 51조원) 규모의 펀드 조성 계획을 발표했다.
업계는 사물인터넷(IoT)과 빅데이터 시대 진입에 따른 메모리반도체 수요의 지속 증가를 이 같은 시설투자 증가 이유로 꼽았다. 시장조사업체 D램익스체인지는 이날 보고서에서 "데이터 용량은 앞으로 5년에서 10년 새 평균 배 가까이 증가할 것"이라며 "이에 따라 D램과 낸드플래시 제품에 대한 수요도 계속 증가할 것"이라고 밝혔다. 이어 서버용 D램 출하량이 앞으로 2~3년 내 모바일 D램을 넘어 주류 제품군으로 부상할 것이라고 덧붙였다.
박정일기자 comja77@
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