입출력 속도 33%↑·전력 10%↓
최소 몰드 두께로 밀도 1.5배↑
"AI 시대, SSD 시장 선도할 것"
최소 몰드 두께로 밀도 1.5배↑
"AI 시대, SSD 시장 선도할 것"
삼성전자는 더블 스택 구조로 구현 가능한 최고 단수 제품인 9세대 V낸드를 양산한다고 23일 밝혔다. 업계 최소 크기 셀(저장공간)과 최소 몰드 두께를 구현해 비트 밀도(단위 면적당 저장되는 비트의 수)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다.
'채널 홀 에칭' 기술을 통해 한 번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신으로 생산성 효율 역시 끌어올렸다. 채널 홀 에칭은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 홀을 만드는 기술이다. V낸드의 원가 경쟁력은 최소한의 공정으로 단수를 쌓아 올리는 것이 핵심인데, 스택 수가 적을수록 거쳐야 하는 공정 수도 줄어들기 때문에 시간과 비용 절감 측면에서 경쟁력이 높다.
회사측은 "셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질과 신뢰성을 높였다"고 설명했다.
삼성전자는 9세대 제품의 단수를 공개하지는 않았다. 업계에서는 280~290단대로 추정하고 있다. 삼성전자의 8세대 V낸드는 236단 수준이다. 이전 세대 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했으며 저전력 설계 기술을 적용해 소비 전력은 약 10% 개선했다.
AI 시대가 도래하며 고용량·고성능 낸드플래시의 중요성은 갈수록 커지고 있다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 낸드플래시 매출은 지난해 387억달러에서 오는 2028년 1148억달러로 연 평균 24%의 높은 성장률을 기록할 전망이다. 옴디아는 "AI 관련 훈련, 추론에서 수요가 발생하고 있고 이를 위해서는 대규모언어모델(LLM)과 추론 모델을 위한 데이터 저장에 더 큰 용량이 필요하다"고 분석했다.
삼성전자는 이번 신제품으로 낸드플래시 1위 업체로서의 지위를 더욱 굳히겠다는 목표다. 삼성전자는 지난해 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하는 등 혁신적인 낸드 기술로 새로운 패러다임을 제시하겠다고 공언한 바 있다. 그 일환으로 올해 하반기에는 'QLC(하나의 셀에 4비트 데이터를 기록할 수 있는 구조) 9세대 V낸드'를 양산할 계획이다.
허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시 개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속·초고용량 SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했다.
윤선영기자 sunnyday72@dt.co.kr
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