삼성전자가 인공지능(AI) 시대 맞춤형 고대역폭메모리(HBM)로 시장 주도권을 확보하겠다는 포부를 내놨다.
삼성전자는 18일 자사 뉴스룸에 HBM을 담당하는 김경륜 상품기획실 상무와 윤재윤 D램 개발실 상무의 인터뷰를 공개하고 증가하는 맞춤형 HBM 수요에 대응하겠다고 밝혔다.
김 상무는 "현재 AI 모델의 파라미터 수는 조 단위에 이르렀고 원활한 데이터 처리를 위해서는 고용량의 HBM이 요구된다"며 "36GB HBM3E 12H D램은 현재 시장의 주요 제품인 16GB HBM3 8H 대비 2.25배 큰 용량으로 상용화가 이뤄질 경우 매우 빠른 속도로 시장을 대체할 것"이라고 말했다.
HBM은 D램을 수직으로 쌓아 올려 용량과 대역폭을 늘린 제품이다. 방대한 데이터를 효율적이고 빠르게 처리할 수 있어 AI 기술을 구현할 핵심 부품으로 꼽힌다.
삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 12단 HBM인 36GB HBM3E 12H D램을 개발했다. 이를 앞세워 AI 메모리 시장에서 경쟁력을 키우겠다는 목표다.
HBM은 열 관리가 중요하다. 삼성전자의 36GB HBM3E 12H D램은 '첨단 열압착 비전도성 접착 필름'(TC-NCF) 기술로 열 방출 측면에서 독보적인 경쟁력을 갖췄다는 설명이다. 이와 함께 제한된 패키지 크기에 D램 단일 칩 크기를 최소화하는 공정 기술을 적용해 우수한 양산성과 신뢰성을 확보했다.
윤 상무는 "HBM의 열 저항은 칩 간격의 영향을 주로 받는데 칩 사이에 적용되는 NCF 소재의 두께를 낮추고 열압착 기술을 통해 칩 간격을 줄이는 동시에 고단 적층에서의 칩 제어 기술을 고도화했다"고 강조했다.
삼성전자는 메모리, 파운드리, 시스템LSI, 첨단패키징(AVP) 등 종합 역량을 활용해 맞춤형 HBM 수요를 충족하겠다는 계획이다. 그 일환으로 차세대 HBM 전담팀도 구성했다.
김 상무는 "프로세서와 메모리 업체가 제품을 개별적으로 최적화해서는 범용 인공지능(AGI) 시대가 요구하는 미래의 혁신을 만들어내기 어렵다는 업계의 공감대가 있다"며 "맞춤형 HBM은 프로세서, 메모리가 공동 최적화를 수행하는 첫 단추이자 AGI 시대를 여는 교두보라고 할 수 있다"고 말했다.
윤 상무는 "고온 열 특성에 최적화된 NCF 조립 기술과 최첨단 공정 기술을 통해 차세대 HBM4에 16H 기술까지 도입할 계획"이라며 "검증된 기술력과 축적된 노하우, 다양한 고객과의 파트너십을 적극 활용해 생성형 AI 시대에 걸맞은 최고의 솔루션을 지속 선보이고 시장을 주도해 나가겠다"고 덧붙였다.
