미국서 삼성전자 파운드리 포럼
업계 최고수준 기술경쟁력 알려
업계 최고수준 기술경쟁력 알려
삼성전자는 22일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 '삼성 파운드리 포럼 2018'을 열고 파운드리 사업 전략과 첨단 미세공정 로드맵 등을 소개했다고 23일 밝혔다. 이번 행사에는 주요 팹리스 반도체 설계 업체들과 파트너사, 애널리스트 등 약 500여명이 참석했다.
파운드리는 생산라인 없이 반도체 설계만 하는 팹리스 기업들로부터 설계 도면을 받아 반도체를 생산해 넘겨주는 사업이다. 삼성전자는 지난해 파운드리 사업부문을 분리하고 본격 육성에 나섰다.
삼성전자는 올해 행사에서 '게이트 올 어라운드'(GAA)라는 신기술을 적용한 3나노 미세공정을 처음 소개했다. GAA는 차세대 트랜지스터 구조인 MBCFETTM(멀티 브릿지 채널 FET)을 처음 적용하고, 게이트 컨트롤을 개선한 기술이다. 핀펫(물고기 비늘 형태로 트랜지스터를 구성해 성능을 키우는 방식) 구조의 크기를 더 줄여 미세공정을 구현하는 삼성전자 독자 기술이다.
또 현재 주력인 14·10나노 공정을 비롯해 극자외선(EUV)을 활용한 7나노, 5나노, 4나노 미세공정 등의 생산 로드맵과 최첨단 데이터센터·인공지능(AI)용 플랫폼 솔루션인 HPC, 마이크로컨트롤러(MCU), 자동차 전장용 솔루션 등 다양한 반도체 솔루션을 소개했다.
삼성전자는 지난해 열린 파운드리 포럼에서는 내년 6·5나노, 2020년 4나노 공정과 미래 반도체 기술 중 하나로 꼽히는 eM램 기술을 적용한 18나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 등을 도입한다고 소개했었다. 올해는 퀄컴과 협력해 7나노 미세공정을 5세대(G) 통신칩 개발에 적용한다고 밝히기도 했다.
배영창 파운드리 사업부 전략마케팅팀장 부사장은 "앞으로 GAA 구조를 적용해 단순히 기술로 앞서갈 뿐만 아니라 좀 더 기기 간 연결성을 강화한 새로운 반도체 시대를 열 수 있을 것이라 기대한다"고 말했다.
한편 삼성전자는 이번 포럼을 시작으로 6월 중국 상하이, 7월 서울, 9월 일본 도쿄, 10월 독일 뮌헨 등에서 행사를 개최할 계획이다.
박정일기자 comja77@
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