µðÁöÅПÀÓ½º

 


Ȳö¼º ¼­¿ï´ë ±³¼ö, °­´ë¿ø»ó ¼ö»ó

ÇÁ¸°Æ® ÆäÀ̽ººÏ Æ®À§ÅÍ Ä«Ä«¿À½ºÅ丮
ÀúÇ׺¯È­ ¸Þ¸ð¸® ¹ÝµµÃ¼ ¿¬±¸ °ø·Î
Ȳö¼º ¼­¿ï´ë ±³¼ö, °­´ë¿ø»ó ¼ö»ó
¼­¿ï´ë °ø´ë(ÇÐÀå Â÷±¹Çå)´Â Ȳö¼º Àç·á°øÇкΠ±³¼ö(»çÁø)°¡ 6ÀÏ °­¿øµµ ÇÏÀÌ¿ø ¸®Á¶Æ®¿¡¼­ °³ÃÖµÈ Á¦25ȸ Çѱ¹¹ÝµµÃ¼Çмú´ëȸ¿¡¼­ '°­´ë¿ø»ó'À» ¼ö»óÇß´Ù°í 11ÀÏ ¹àÇû´Ù. Ȳö¼º ±³¼ö´Â Áö±Ý±îÁö °øÁ¤ ¹× ¼ÒÀÚ ºÐ¾ß¿¡¼­ 527ÆíÀÇ ³í¹®À» ¹ßÇ¥Çß´Ù. 2010³â 'Nat. Nanotech'¿¡ ÃâÆÇÇÑ ³í¹®Àº ÇÇÀοë Ƚ¼ö°¡ 1400¿© ȸ°¡ ³Ñ´Â ¿ì¼öÇÑ ³í¹®ÀÌ´Ù. ³í¹®¿¡¼­ Ȳ ±³¼ö´Â ±Ý¼Ó »êÈ­¸·À» ÀÌ¿ëÇÑ ÀúÇ׺¯È­ ¸Þ¸ð¸®ÀÇ ±Ùº» µ¿Àû±â±¸¸¦ ±Ô¸íÇß´Ù. ¶Ç ÀúÇ׺¯È­ ¸Þ¸ð¸® ºÐ¾ßÀÇ ¿¬±¸¸¦ ÅëÇØ Çѱ¹ ¹ÝµµÃ¼ ¹ßÀü¿¡ ±â¿©ÇÑ °ø·Î¸¦ ÀÎÁ¤¹Þ¾Æ À̹ø¿¡ ¼ö»óÇÏ°Ô µÆ´Ù.

°­´ë¿ø»óÀº ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ±âÃÊ°¡ µÇ´Â ¸ð½ºÆê(MOSFET)°ú ³½µåÇ÷¡½Ã µ¥ÀÌÅÍ ÀúÀå °ø°£ÀÎ Ç÷ÎÆðÔÀÌÆ®(Floating Gate)¸¦ ÃÖÃÊ·Î °³¹ßÇÑ °í °­´ë¿ø ¹Ú»ç(1931~1992)ÀÇ ¾÷ÀûÀ» ÀçÁ¶¸íÇϱâ À§ÇØ Á¦Á¤µÈ »óÀ¸·Î, ¹ÝµµÃ¼ Çа迡¼­ ¸Å¿ì ±ÇÀ§ ÀÖ´Â »óÀÌ´Ù.

°­´ë¿ø»óÀÇ µÎ ¹ø° ¼ö»óÀÚÀΠȲ ±³¼ö´Â 2015³â ¹ÝµµÃ¼ °øµ¿ ¿¬±¸¼ÒÀåÀ¸·Î ÀçÀÓ ´ç½Ã ¿¬±¸¼Ò °Ç¹° ÀÔ±¸¿¡ °­´ë¿ø ¹Ú»ç Èä»óÀ» ¼¼¿î ¹Ù ÀÖ´Ù.


Ȳ ±³¼ö´Â "1ȸ ¼ö»óÀÚÀÎ ¼­¿ï´ë Àü±âÁ¤º¸°øÇкΠ¹Úº´±¹ ±³¼ö´ÔÀÇ µÚ¸¦ ÀÕ°Ô µÅ ¸Å¿ì ¿µ±¤"À̶ó°í ¼ö»ó ¼Ò°¨À» ¹àÇû´Ù.
À̱ÔÈ­ ¼±ÀÓ±âÀÚ david@


[ ÀúÀÛ±ÇÀÚ ¨ÏµðÁöÅПÀÓ½º, ¹«´Ü ÀüÀç ¹× Àç¹èÆ÷ ±ÝÁö ]