쓰기용량 4만2000TB까지 보증
프리미엄 PC · 서버 시장 공략
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삼성전자는 기존 고성능 NVMe(비휘발성 메모리 익스프레스 규격) SSD보다 응답 속도가 5배 이상 빠른 세계 최고 성능의 800GB Z-SSD를 업계 최초로 출시했다고 30일 밝혔다. 이 제품은 인공지능(AI), 빅데이터, 사물인터넷(IoT)과 같은 차세대 시장의 캐시 데이터, 로그 데이터의 초고속 처리·분석에 최적화했다고 삼성전자 측은 설명했다.
이 제품에는 TLC(트리플레벨셀) V낸드플래시보다 읽기 속도가 10배 이상 빠른 48단 싱글레벨셀(SLC) Z-낸드와 고속 응답 컨트롤러, 1.5GB 용량의 LPDDR4 모바일 D램을 탑재해 기존 NVMe SSD(PM963)의 쓰기·응답 속도보다 5배 이상 빠른 16㎲(백만분의 1초)와 1.7배 빠른 임의 읽기 성능 750K IOPS(초당입출력)를 구현한다. Z-낸드는 V낸드를 기반으로 별도의 자체 설계 기술을 더 해 속도와 안정성을 극대화한 메모리다. 업계에 따르면 단위 저장용량당 가격 측면에서는 하나의 셀에 3개의 데이터를 넣을 수 있는 TLC가 우위지만 속도와 안정성 면에서는 하나의 셀에 하나의 데이터를 넣는 SLC가 더 우위인 것으로 알려졌다.
삼성전자는 800GB의 쓰기를 매일 30번씩 하는 경우 최대 5년의 사용기간을 보증하고, 일일 사용량이 이를 초과할 경우 총 쓰기 사용 용량을 4만2000TB까지 보증한다고 설명했다. 4만2000TB는 5GB 기준 풀HD 화잘의 영화를 840만번을 쓰고 지울 수 있는 수준이다. 이어 평균 무고장 시간(MTBF)을 200만시간으로 기존보다 배 가랴 높여 성능과 내구성, 신뢰성을 동시에 구현했다고 덧붙였다.
한진만 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀장 전무는 "슈퍼컴퓨터 고객들에게 투자 효율을 더 높인 차세대 솔루션을 제공한 것"이라며 "차세대 Z-SSD를 적기에 개발해 프리미엄 시장을 계속 성장시킬 것"이라고 말했다.
삼성전자는 이번 1세대 싱글 포트 Z-SSD 라인업(800GB와 240GB) 출시에 이어 연내 두 개의 연결 포트를 장착한 2세대 듀얼 포트 Z-SSD 라인업을 출시할 계획이다. 아울러 이 같은 내용을 포함한 Z-SSD의 핵심 기술과 제품군을 다음 달 11일 미국 샌프란시스코에서 열리는 '국제반도체회로학회 2018'에서 공개할 예정이다.
박정일기자 comja77@
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