㈜코스텍시스(대표 한규진) 기술연구소와 신무환 연세대 공과대학 교수는 신소재 sCMC를 적용한 고방열RF-패키지(사진)의 개발과 대량 생산에 성공했다고 9일 밝혔다.
고방열RF-패키지는 LTE, 5G 등 통신네트워크의 필수 디바이스인 RF 전력증폭기의 핵심 반도체 부품이다. 4세대 통신망 LTE에 이어 5세대 통신망에서도 그 중요성은 더욱 부각되고 있는 추세다.
넓은 대역폭의 주파수를 마련해 통신 속도를 비약적으로 높이고 데이터가 오가는 데 걸리는 응답 속도를 줄여 고속 네트워크가 가능하다. 통신 속도는 기존 LTE의 100배에서 1000배까지 빠빠르다. 고속 네트워크를 위한 RF 디바이스는 높은 출력과 방열 성능이 필수 기술요소다. 연구팀은 이를 충족하는 열전도율 320(w/m.k)급 sCMC RF 패키지를 세계최초로 개발에 성공했다.
이 사업은 2013년 시작한 지식경제부(지금 산업통상자원부)의 부품소재기술개발과제의 수행성과로 진행됐다.
현재 이 기술은 특허 등록을 마쳤다. 글로벌 최대수요처인 미국 NXP사의 엔지니어링 평가를 완료하고 제품 승인 절차를 진행하고 있다. 코스텍시스는 열전도율 220(w/m.k)급 RF 패키지 양산 납품을 시작했다. 코스텍시스 관계자는 "이번에 개발 성공한 열전도율 320(w/m.k)급 고방열 신소재sCMCRF 패키지에 대한 NXP 사의 제품승인과 론칭을 통해 글로벌 비즈니스 확장이 기대되고 있다"고 말했다.
김광태기자 ktkim@
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