전세계 메모리 시장에서 1위 입지를 굳히고 있는 삼성전자를 향한 글로벌 반도체 기업들의 추격이 거세질 전망이다. 전세계 반도체 1위 기업인 인텔이 2위인 삼성전자와 격차를 벌이기 위해 기술과 영업 측면에서 공격적인 행보를 보이고 있고 엘피다, 애플 등도 다양한 방식으로 삼성전자의 성장을 강하게 견제하고 있다.
최근 다수의 글로벌 반도체 기업들은 빠르게 성장하고 있는 삼성전자 반도체 사업의 입지를 약화시킬 수 있는 최신 기술 이슈를 선점하고 있다.
인텔은 기존 2D 평면형 트랜지스터를 구조의 한계를 극복, 누설전류를 최소화해 저전압에서 작동이 가능하고 에너지 효율성이 높은 3D 트라이게이트 트랜지스터 기술을 발표, 22나노미터 기반의 CPU에 도입할 계획을 밝혔다.
인텔이 발표한 3D 트라이게이트 트랜지스터 기술은 지난 수 십년간 이어져 온 2D 트랜지스터 구조를 혁신한 기술이라는 점에서 비상한 관심을 얻고 있다.
그동안 전세계 반도체 업계는 반도체 제조기술의 3가지 핵심 기술인 리소그래피, 재료, 트랜지스터 설계 부문 중 리소그래피와 재료 부문에서 지속적인 기술 발전을 이뤄왔으나, 트랜지스터 설계는 1970년대 반도체 장치 도입 이후 큰 변화를 보이지 못해왔다.
이에 따라 전세계 반도체 업계에서는 인텔의 3D 트랜지스터 기술을 통해 2년마다 트랜지스터 집적도가 2배가 되고 비용은 감소한다는 무어의 법칙을 계속 잇게 된 것으로 평가하고 있다.
인텔은 32나노미터 공정 기반의 아톰 프로세서 이후에 선보일 22나노미터 공정기술에 3D 트랜지스터를 적용, PC 및 서버용 프로세서에 우선 도입함으로써 2012년 관련 제품을 선보일 방침이다. 이를 통해 PC는 물론 모바일과 소비가전 등에 다양하게 응용함으로써 경쟁력을 한층 높이고, 특히 인텔의 입지가 상대적으로 약한 소비가전 부문에서도 새로운 사업 기회를 확보할 것으로 기대하고 있다.
전세계 반도체 1위 기업 인텔의 압박뿐만 아니라 D램 시장에서는 3위 기업인 일본 엘피다의 반격이 거세다. 최근 엘피다는 25나노미터 D램 개발에 성공하고 오는 8월 양산을 발표한 바 있다.
엘피다가 25나노 D램을 양산하면 30나노 공정 대비 웨이퍼당 44% 이상 칩을 더 많이 확보할 수 있게 돼 삼성전자 및 하이닉스반도체 보다 기술력에서 앞서게 된다. 칩 생산량이 늘어나면 시장 점유율의 판도 변화도 기대할 수 있어 국내 기업들로서는 긴장할 수밖에 없다.
그동안 엘피다는 삼성전자와 하이닉스가 전세계 D램 시장의 절반 이상을 점유하며 지배력을 강화하는데 대항하기 위해 대만 파워칩의 D램 사업을 인수하는 등 반격을 꾀해 왔다.
전세계 공룡 기업 애플과의 특허 분쟁도 삼성전자에 위협이 되고 있다. 애플이 특허 문제를 제기하면서 엘피다, 마이크론 등 일본과 대만 D램 기업들과의 협력을 강화할 움직임이 보이고 있는데다, 칩 생산을 인텔에 넘길 가능성이 더욱 커졌다는 분석이 국내외에서 제기되고 있기 때문이다.
이같은 글로벌 경쟁사들의 견제에 삼성전자는 덤덤한 모습이지만 긴장의 끈을 놓지 않겠다는 분위기다.
인텔의 3D 트랜지스터 기술은 아직 양산 단계가 아니기 때문에 제품이 나와봐야 알 수 있다는 입장이다. 엘피다의 25나노 D램은 30나노급 제품도 양산되지 않고 있어 양산 시점과 제품화 가능 여부를 봐야 하고 삼성전자도 올 하반기 25나노 제품 양산을 계획대로 진행하고 있어 경쟁사의 움직임을 지켜보겠다는 입장이다.
최지성 삼성전자 부회장은 최근 열린 삼성전자 수요 사장단 회의에서 "제품 리더십과 1등을 유지하려면 경쟁사보다 1년은 앞서가야 지속적인 가격 경쟁력을 갖추면서 시장을 주도할 수 있다"고 강조하며 꾸준히 긴장의 끈을 놓지 말 것을 주문했다.
배옥진기자 withok@
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최근 다수의 글로벌 반도체 기업들은 빠르게 성장하고 있는 삼성전자 반도체 사업의 입지를 약화시킬 수 있는 최신 기술 이슈를 선점하고 있다.
인텔은 기존 2D 평면형 트랜지스터를 구조의 한계를 극복, 누설전류를 최소화해 저전압에서 작동이 가능하고 에너지 효율성이 높은 3D 트라이게이트 트랜지스터 기술을 발표, 22나노미터 기반의 CPU에 도입할 계획을 밝혔다.
인텔이 발표한 3D 트라이게이트 트랜지스터 기술은 지난 수 십년간 이어져 온 2D 트랜지스터 구조를 혁신한 기술이라는 점에서 비상한 관심을 얻고 있다.
그동안 전세계 반도체 업계는 반도체 제조기술의 3가지 핵심 기술인 리소그래피, 재료, 트랜지스터 설계 부문 중 리소그래피와 재료 부문에서 지속적인 기술 발전을 이뤄왔으나, 트랜지스터 설계는 1970년대 반도체 장치 도입 이후 큰 변화를 보이지 못해왔다.
이에 따라 전세계 반도체 업계에서는 인텔의 3D 트랜지스터 기술을 통해 2년마다 트랜지스터 집적도가 2배가 되고 비용은 감소한다는 무어의 법칙을 계속 잇게 된 것으로 평가하고 있다.
인텔은 32나노미터 공정 기반의 아톰 프로세서 이후에 선보일 22나노미터 공정기술에 3D 트랜지스터를 적용, PC 및 서버용 프로세서에 우선 도입함으로써 2012년 관련 제품을 선보일 방침이다. 이를 통해 PC는 물론 모바일과 소비가전 등에 다양하게 응용함으로써 경쟁력을 한층 높이고, 특히 인텔의 입지가 상대적으로 약한 소비가전 부문에서도 새로운 사업 기회를 확보할 것으로 기대하고 있다.
전세계 반도체 1위 기업 인텔의 압박뿐만 아니라 D램 시장에서는 3위 기업인 일본 엘피다의 반격이 거세다. 최근 엘피다는 25나노미터 D램 개발에 성공하고 오는 8월 양산을 발표한 바 있다.
엘피다가 25나노 D램을 양산하면 30나노 공정 대비 웨이퍼당 44% 이상 칩을 더 많이 확보할 수 있게 돼 삼성전자 및 하이닉스반도체 보다 기술력에서 앞서게 된다. 칩 생산량이 늘어나면 시장 점유율의 판도 변화도 기대할 수 있어 국내 기업들로서는 긴장할 수밖에 없다.
그동안 엘피다는 삼성전자와 하이닉스가 전세계 D램 시장의 절반 이상을 점유하며 지배력을 강화하는데 대항하기 위해 대만 파워칩의 D램 사업을 인수하는 등 반격을 꾀해 왔다.
전세계 공룡 기업 애플과의 특허 분쟁도 삼성전자에 위협이 되고 있다. 애플이 특허 문제를 제기하면서 엘피다, 마이크론 등 일본과 대만 D램 기업들과의 협력을 강화할 움직임이 보이고 있는데다, 칩 생산을 인텔에 넘길 가능성이 더욱 커졌다는 분석이 국내외에서 제기되고 있기 때문이다.
이같은 글로벌 경쟁사들의 견제에 삼성전자는 덤덤한 모습이지만 긴장의 끈을 놓지 않겠다는 분위기다.
인텔의 3D 트랜지스터 기술은 아직 양산 단계가 아니기 때문에 제품이 나와봐야 알 수 있다는 입장이다. 엘피다의 25나노 D램은 30나노급 제품도 양산되지 않고 있어 양산 시점과 제품화 가능 여부를 봐야 하고 삼성전자도 올 하반기 25나노 제품 양산을 계획대로 진행하고 있어 경쟁사의 움직임을 지켜보겠다는 입장이다.
최지성 삼성전자 부회장은 최근 열린 삼성전자 수요 사장단 회의에서 "제품 리더십과 1등을 유지하려면 경쟁사보다 1년은 앞서가야 지속적인 가격 경쟁력을 갖추면서 시장을 주도할 수 있다"고 강조하며 꾸준히 긴장의 끈을 놓지 말 것을 주문했다.
배옥진기자 withok@
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