최근 극심한 경기 침체와 공급과잉에 따른 D램 가격급락으로 수익성이 악화되고 있는 D램업체들이 이를 극복하기 위해 강구하고 있는 것 중 하나가 생산원가 절감이다.
실리콘웨이퍼는 대부분 반도체 소자의 원재료로, 표면의 결함이 어느 정도냐에 따라 소자의 수율을 좌우하고 결국 생산원가와 연결된다. 이에 따라 웨이퍼 표면의 결함을 최소화하기 위해 등장한 것이 무결점(Pure) 실리콘 웨이퍼로, 이는 표면결정결함(COP)를 제거한 차세대 제품이다.
COP는 실리콘 웨이퍼 원료배합시 발생하는 기포로, 웨이퍼 표면을 V자 형태로 깍아내 반도체 수율을 저하시키는 가장 큰 요인의 하나로 지적돼 왔다. 특히 256Mb 이상의 대용량 D램과 기가헤르츠 대역의 고속 CPU 등 반도체 집적도가 높아지고 웨이퍼 크기가 기존 200㎜에서 300㎜ 제품으로 옮겨가는 추세여서 COP제거의 중요성이 부각되고 있다.
무결점 실리콘웨이퍼는 잉곳(Ingot) 생성과정 중에 COP를 제거하는 결정성장방법으로, 웨이퍼 결함을 완전히 제거하면서 생산단가도 기존 실리콘웨이퍼와 큰 차이가 없다는 장점을 갖추고 있다.
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실리콘웨이퍼는 대부분 반도체 소자의 원재료로, 표면의 결함이 어느 정도냐에 따라 소자의 수율을 좌우하고 결국 생산원가와 연결된다. 이에 따라 웨이퍼 표면의 결함을 최소화하기 위해 등장한 것이 무결점(Pure) 실리콘 웨이퍼로, 이는 표면결정결함(COP)를 제거한 차세대 제품이다.
COP는 실리콘 웨이퍼 원료배합시 발생하는 기포로, 웨이퍼 표면을 V자 형태로 깍아내 반도체 수율을 저하시키는 가장 큰 요인의 하나로 지적돼 왔다. 특히 256Mb 이상의 대용량 D램과 기가헤르츠 대역의 고속 CPU 등 반도체 집적도가 높아지고 웨이퍼 크기가 기존 200㎜에서 300㎜ 제품으로 옮겨가는 추세여서 COP제거의 중요성이 부각되고 있다.
무결점 실리콘웨이퍼는 잉곳(Ingot) 생성과정 중에 COP를 제거하는 결정성장방법으로, 웨이퍼 결함을 완전히 제거하면서 생산단가도 기존 실리콘웨이퍼와 큰 차이가 없다는 장점을 갖추고 있다.
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