전기차, 하이브리드 자동차 등의 에너지 효율을 높이는 '탄화규소(SiC) 반도체'가 주목받으면서 관련 특허출원도 활발하다.
30일 특허청에 따르면 탄화규소 단결정 성장법과 관련한 특허출원이 최근 10년간(2006∼2015년) 모두 117건에 달했다. 연도별로는 2006년 4건을 시작으로 2010년(9건)까지 한 자릿수 출원건수를 기록하다가 2011년 22건, 2012년 9건, 2013년 23건, 2014년 17건 등 꾸준한 출원세를 이어가고 있다.
탄화규소 반도체는 실리콘 반도체에 비해 전력을 줄이면서 열 발생도 적어 전기차 등에 적용하면 약 5% 이상의 연비 절감 효과를 거둘 수 있다.
출원 기술을 보면 상업화 초기부터 널리 사용되고 있는 승화법이 59.0%(69건)로 가장 많았으며, 용액성장법 33.3%(39건), 고온기상증착법 7.7%(9건) 등이 뒤를 이었다.
승화법은 최근 들어 높은 성장온도에 따른 탄화규소 결정의 결함을 제어하기 어려워 출원이 정체되고 있으나, 비교적 낮은 온도(2100℃ 이하)에서 결함이 현저히 감소한 고순도·고품질 단결정을 제조할 수 있는 용액성장법 관련 특허출원은 2013년부터 급격히 늘고 있다.
출원국을 보면 한국과 일본이 각각 54.7%, 41.0%를 차지해 특허출원을 주도한 것으로 나타났으며, 포스코그룹(21건), 도요타자동차(20건), 동의대(13건), SK이노베이션(8건) 등의 순으로 출원이 많았다.
반용병 특허청 정밀화학심사과장은 "초고순도 탄환규소 재료는 고난이도 기술을 요구하지만 반도체 산업을 한 단계 성장시키기 위해 반드시 확보해야 하는 원천소재 기술"이라며 "향후 전기차나 태양광용 에너지소자, 고순도 반도체 부품 분야의 시장 선점을 위해선 차별화된 자체 기술을 보유하고 이를 권리화하기 위한 노력도 요구된다"고 말했다.대전=이준기기자 bongchu@dt.co.kr
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