삼성전자, HBM 판 뒤집나…4분기 SK하이닉스 ‘왕좌’ 정조준

HBM4 하반기 출하 본격화…4분기 선두 경쟁 최대 변수 삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 SK하이닉스와의 격차를 빠르게 좁히면서 하반기 선두 경쟁에 불이 붙었다. 2분기 매출 기준 점유율을 33%까지 끌어올린 데 이어 차세대 HBM4 출하가 하반기 본격화될 것으로 예상되면서, 4분기에는 SK하이닉스의 1위 자리를 뒤집을 수 있을지 관심이 커지고 있다. 6일 업계에 따르면 시장조사업체 카운터포인트리서치는 올해 2분기 글로벌 HBM 시장에서 SK하이닉스가 매출 기준 50%의 점유율로 1위를 차지했다고 집계했다. 삼성전자는 33%로 2위에 올랐다. 두 회사의 격차는 17%포인트로, 올해 1분기 37%포인트에서 절반 수준으로 줄었다. 삼성전자의 상승 폭이 두드러졌다. 올해 1분기 21%였던 점유율이 한 분기 만에 12%포인트 뛰었다. 지난해 2분기 15%와 비교하면 1년 만에 18%포인트 상승했다. 같은 기간 SK하이닉스의 점유율은 64%에서 50%로 14%포인트 낮아졌다. 3위 마이크론의 점유율은 18%로 집계됐다. 1분기 21%보다 3%포인트 낮아지면서 삼성전자와의 격차가 15%포인트로 벌어졌다. 시장 판도를 바꿀 변수로는 HBM4가 꼽힌다. 현재 HBM 시장 매출의 대부분은 HBM3E에서 발생하고 있지만, 카운터포인트리서치는 HBM4 출하가 올해 하반기부터 본격적으로 가시화될 것으로 예상했다. 삼성전자의 HBM4 출하가 확대되면서 점유율이 추가로 상승할 가능성도 제기했다. 삼성전자는 이미 HBM4 양산에 들어간 상태다. 삼성전자는 지난 2월 4나노 로직 공정 기반 베이스 다이를 적용한 HBM4 양산을 시작했다고 밝힌 바 있다. 차세대 제품을 통한 경쟁력 확보에도 속도를 내고 있다. 삼성전자는 지난 7월 HBM5 베이스 다이에 게이트올어라운드(GAA) 구조의 2나노 공정을 적용하겠다는 계획을 공개했다. 구자흠 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)은 당시 자사 반도체 뉴스룸 인터뷰에서 “HBM5는 HBM4E보다 동작 속도를 약 50% 이상 향상해야 할 것으로 예상된다”며 “베이스 다이에는 동작 속도는 물론 전력 효율 관점에서도 큰 폭의 개선을 이끌어낼 수 있는 최선단 공정을 준비하고 있다”고 말했다. 이어 “HBM5의 베이스 다이는 게이트올어라운드(GAA) 구조를 사용하는 2나노 공정을 적용하고 더욱 높은 집적도의 TSV(실리콘 관통 전극)를 구현할 예정”이라고 밝혔다. 삼성전자는 이달 1일 대만에서 열린 세미콘 타이완 2026에서도 차세대 메모리 경쟁력을 강조했다. 최장석 삼성전자 DS(디바이스솔루션) 부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)은 ‘메모리 고위급 서밋’ 기조연설에서 용량(Capacity), 최적화(Utilization), 대역폭(Bandwidth), 전력·열 효율(Efficiency)을 아우르는 ‘CUBE’ 전략을 제시했다. 삼성전자는 HBM5의 성능을 HBM4E보다 2배 높이고 와트당 성능을 20% 개선하며 열 저항을 20% 낮춘다는 계획이다. 다만 4분기 1위 역전을 단정하기에는 아직 변수가 남아 있다. 2분기 기준 SK하이닉스가 삼성전자보다 17%포인트 앞서 있는 데다 SK하이닉스 역시 HBM4 공급 확대를 추진하고 있기 때문이다. SK하이닉스는 HBM3E 시장에서 확보한 고객 기반을 바탕으로 HBM4 공급 체계를 구축해 차세대 시장에서도 선두를 유지한다는 전략이다.