TSMC 제친 삼성, 세계 첫 3나노 파운드리 양산

삼성전자가 세계 최초로 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around)를 적용한 3나노(1㎚는 10억분의 1ｍ) 파운드리(반도체 위탁생산) 제품 양산을 시작했다. 업계 1위인 대만 TSMC보다 한발 앞선 것으로, 메모리 분야에 이어 파운드리 분야에서도 1위로 도약할 수 있는 발판을 마련하게 됐다는 평가다.

삼성전자는 25일 경기도 화성캠퍼스 내 극자외선(EUV) 전용 V1 라인에서 GAA 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다고 밝혔다. 이날 행사에는 이창양 산업통상자원부 장관, 삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사(사장) 및 임직원, 협력사와 팹리스 관계자 등 100여명이 참석했다.

삼성전자는 앞서 지난달 말 세계 최초로 GAA 기술을 적용한 3나노 공정 양산 돌입을 발표했다. 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로, TSMC와 미국 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고 삼성전자가 가장 먼저 선보였다.

삼성전자가 업계 최초로 적용한 GAA는 기존 기술보다 칩 면적과 소비 전력은 줄이고 성능은 높인 신기술로, 차세대 파운드리의 '게임 체인저'로 꼽혀왔다. 삼성전자는 3나노 GAA 1세대 공정은 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력은 45% 절감되고 성능은 23% 향상됐으며, 면적은 16% 축소됐다고 설명했다.

정부는 최근 세계 각국이 반도체를 안보 자산으로 보호하는 상황을 고려했을 때, 이번 3나노 반도체 양산 성공은 경제 안보 차원에서 의미가 크다고 의미를 부여했다.

업계는 삼성전자의 3나노 양산 성공으로 TSMC가 독주하고 있는 파운드리 시장에 판도 변화가 올지 주목하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 1분기 파운드리 매출 점유율은 TSMC가 53.6%였고, 삼성은 16.3%에 불과했다. 박정일기자 comja77@dt.co.kr