R&D 年지출 3兆 넘어선 SK하이닉스

낸드 등 사업다각화 집중 영향


[디지털타임스 박정일 기자] SK하이닉스가 사상 처음으로 연구·개발(R&D)에 3조원 이상을 지출했다.

주력 사업 경쟁력 강화는 물론 낸드플래시 등 사업다각화에 기술 역량을 집중한 영향이다.

27일 SK하이닉스가 공시한 연결감사보고서에 따르면 2019년 한 해 연구개발비 총지출액은 3조1885억원이었다. 이는 전년(2018년)보다 10% 늘어난 규모로 역대 최대 지출액이다. 매출액 대비 비중도 전년(7%)보다 5%포인트 늘어난 12%였다.

작년 한 해 영업이익이 2조7127억원으로 전년보다 87%나 급감한 점을 고려하면 기술 투자에 한층 더 과감한 투자를 한 것으로 풀이된다.

SK하이닉스는 지난해 10월 3세대 10나노급(1z) 16Gb 더블데이터레이트(DDR)4 D램을 개발하는 등 차세대 기술 선점을 위한 투자를 이어오고 있다. 작년 8월에는 고대역폭 메모리(HBM)인 'HBM2E D램' 개발에 성공했고, 6월 128단 4D 낸드플래시를 양산했다. 9월에는 이미지센서 강국 일본에 차세대 CIS 연구개발센터도 개소했다.

한편 글로벌 1위 반도체 기업 삼성전자 또한 지난해 연구개발비가 사상 처음 20조원을 돌파해 '초격차'를 유지했다.

박정일기자 comja77@dt.co.kr