삼성, D램-낸드 장점 통합, 차세대 메모리 `M램` 양산

속도·용량·고효율 일석삼조
반도체 주도권 확보 경쟁력↑
[디지털타임스 박정일 기자] 삼성전자가 파운드리(반도체 수탁생산) 공정으로 미래반도체 중 하나로 꼽히는 M램 생산을 본격 시작했다. D램처럼 빠르고 동시에 전원이 꺼져도 데이터가 없어지지 않는 낸드플래시의 장점까지 합친 만큼, 본격적인 양산이 시작되면 시장 판도를 바꿀 것으로 기대를 모으고 있다.

삼성전자는 28나노 '완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터(FD-SOI)' 공정을 기반으로 한 내장형 M램(eMRAM·embeded M램) 솔루션의 양산 체제를 가동, 본격적인 출하를 시작했다고 6일 밝혔다. 이날 기흥 캠퍼스에서 양산 제품의 첫 출하를 기념하는 행사를 했다.

이 솔루션은 데이터 기록 시 삭제 과정이 필요 없고, 기존 플래시 메모리보다 약 1000배 빠른 쓰기 속도를 구현한다. 전원이 꺼진 상태에서 저장된 데이터를 계속 유지해 대기 전력을 추가로 쓰지 않고, 전력 효율 역시 뛰어나다고 회사 측은 설명했다.

삼성전자는 이를 위해 FD-SOI 공정과 내장형 설계 기술을 합쳤다. FD-SOI 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 그 위에 트렌지스터를 구성하는 기술이다. 트랜지스터 동작시 발생하는 누설 전류를 크게 줄일 수 있는 특징이 있다. 여기에 내장형(embeded) 메모리 기술을 더했다. 소형 전자 제품에 사용되는 MCU(마이크로컨트롤러유닛)나 SoC(시스템온칩) 같은 시스템 반도체에서 정보 저장 역할을 하는 메모리 모듈이다.

삼성전자 측은 이 솔루션이 단순한 구조를 가지고 있어 기존 로직 공정 기반의 설계에 최소한의 레이어(Layer)를 더하는 것만으로 구현이 가능한 만큼, 수요 업체의 설계 부담을 줄이고 생산비용도 낮출 수 있다고 소개했다. 회사는 올해 안에 1Gb eM램 테스트칩 생산을 시작하는 등 내장형 메모리 솔루션을 확대한다는 계획이다.

업계에서는 삼성전자가 이번 출시로 파운드리 매출을 늘리면서 동시에 미래 반도체 시장의 주도권 확보를 위한 공정 경쟁력을 확보하는 두 마리 토끼를 잡을 것으로 보고 있다.

클리프 라임바흐 IHS마킷 책임연구원은 과거 디지털타임스와의 인터뷰에서 "M램 시장은 D램 시장을 뒤흔들 잠재력이 있다"고 말한 적이 있다.

삼성전자는 내년에 18나노 FD-SOI eM램 공정을 도입할 계획이다.

박정일기자 comja77@