"이번엔 10나노급 D램" 삼성전자 세계최초 공개

[디지털타임스 박정일 기자] 삼성전자가 10나노(㎚) 급 D램과 6세대 낸드플래시 등 세계 최초 기술을 적용한 차세대 반도체 솔루션을 미국 실리콘벨리에서 공개했다. 아울러 7나노 파운드리(반도체 수탁생산) 공정 개발 완료를 선언하고 세계 파운드리 1위인 TSMC와 본격적인 경쟁 체제를 구축했다.

삼성전자는 17일(현지시간) 미국 실리콘밸리에 있는 미주법인(DSA) 사옥에서 '삼성 테크 데이(Samsung Tech Day) 2018'을 열고 차세대 반도체 솔루션을 대거 소개했다고 18일 밝혔다.

'삼성@모든 것의 중심'(Samsung＠The Heart of Everything)이라는 슬로건을 걸고 지난해에 이어 두 번째로 개최한 이날 행사에는 글로벌 IT(정보기술) 기업과 미디어 관계자, 애널리스트 등 500여명이 참석했다.

삼성전자는 이 자리에서 세계 최초의 256GB 3DS RDIMM과 기업용 7.68 TB 급 4비트 서버 SSD(솔리드스테이트드라이브), 6세대 V낸드 기술, 2세대 Z-SSD 등을 공개했다. 3DS RDIMM이란 실리콘 3D(3차원) 적층 기술을 적용해 고속으로 동작할 수 있게 만든 서버용 D램으로, 업계 최대 용량의 10나노급 16Gb DDR4 D램을 탑재해 기존 제품(128GB RDIMM)보다 용량은 2배로 늘리고 소비전력 효율은 30% 개선했다.

회사 측은 또 빅데이터에 특화된 키밸류 SSD, 인공지능(AI) 머신러닝용 스마트SSD, 고속 네트워크용 SSD와 스토리지를 결합한 NVmEOF SSD 등 새로운 솔루션을 제공할 것이라고 소개했다. 특히 경기도 평택 생산라인에서 V낸드와 D램 양산 규모를 지속적으로 확대해 수요에 적극적으로 대응하겠다는 계획도 내놓았다.

파운드리 사업부에서는 극자외선(EUV) 노광 기술을 적용한 파운드리 7나노 공정(7LPP) 개발을 완료하고 생산에 착수했다고 발표했다. 7나노 파운드리 공정 개발은 대만 파운드리 전문 업체인 TSMC에 이어 세계 두번째이고, EUV를 적용한 것은 세계 최초다.

삼성전자는 EUV 노광 장비를 대량으로 수용할 수 있는 첨단 라인을 2019년말 완공 목표로 화성캠퍼스에 구축하고 있다. 2020년 3나노 공정까지 개발해 세계 최고 수준의 파운드리 경쟁력을 갖춘다는 목표다. 업계에서는 이 라인이 본격적으로 가동하면 시장점유율 50%가 넘는 TSMC(작년 매출 약 36조5000억원)와 양강 구도를 구축할 것으로 기대하고 있다. 삼성전자의 파운드리 시장 점유율은 작년 기준으로 업계 4위인 7% 수준이다.

한편 삼성전자는 이날 행사에서 애플 공동창업자인 스티브 워즈니악의 강연과 함께 마이크로소프트(MS), 자이링스, HP엔터프라이즈, 브이엠웨어 등의 주요 전문가들이 참석하는 패널 토론 등도 진행했다. 삼성전자에서는 미주지역총괄인 최주선 부회장을 비롯해 메모리 D램 개발실 장성진 부사장, 플래시 개발실 경계현 부사장, 솔루션 개발실 정재헌 부사장, 상품기획팀 한진만 전무 등이 참석했다.

삼성전자는 미국, 중국, 한국, 일본에 이어 현지시간으로 18일 독일 뮌헨에서 유럽 지역의 고객과 파트너를 대상으로 파운드리 포럼을 개최하고 7나노 공정 등 첨단 공정 로드맵을 내놓을 예정이다.박정일기자 comja77@dt.co.kr