미국 압박 속 중국에 반도체 70억 달러 투자하는 삼성전자…시안 2라인 기공식

삼성전자가 중국 시안 메모리반도체 공장에 70억 달러(약 7조5000억원)를 투자해 두 번째 생산 라인을 건설한다. 최근 미국이 자국 반도체를 더 구매하라며 중국을 압박하고 있다는 관측이 나오는 가운데 삼성전자의 이번 투자가 중국 정부 결정에 어떤 영향을 줄지 관심이 쏠린다.

삼성전자는 28일 중국 산시성 시안시에서 김기남 삼성전자 사장과 후허핑 산시성 성위서기, 먀오웨이 공신부 부장, 류궈중 산시성 성장, 노영민 주중 한국대사 등이 참석한 가운데 '삼성 중국 반도체 메모리 제2 라인 기공식'을 했다. 삼성전자는 작년 8월 시안 반도체 2라인 투자를 위해 산시성 정부와 업무협약(MOU)을 체결한 바 있고, 앞으로 3년간 총 70억 달러를 투자하기로 했다.

이미 1공장에서 낸드플래시를 생산하고 있는 삼성전자는 2라인에서도 낸드플래시(V낸드) 생산을 계획하고 있다. 업계에서는 2라인 가동 시 시안 공장의 낸드플래시 생산량은 웨이퍼 기준 월 20만장 수준으로 늘어날 것으로 보고 있다. 시장조사업체 IHS마킷에 따르면 현재 삼성전자는 화성과 평택, 시안 등에서 웨이퍼 기준 월 47만장 안팎의 낸드플래시를 생산 중이다.

김기남 사장은 이날 기공식에서 "시안 2기 라인의 성공적 운영으로 최고 메모리반도체 제품 생산과 함께 차별화 솔루션을 제공해 글로벌 IT(정보기술) 시장 성장에 이바지하겠다"고 했다. 류궈중 산시성 성장은 축사에서 "산시성은 앞으로도 삼성과 그 협력사들의 발전을 지원하며 협력관계를 강화할 것"이라고 말했다.

삼성전자 측은 이번 2기 투자로 낸드플래시 최대 수요처인 중국 시장에서 제조 경쟁력을 강화하고 현지 시장 요구에 더 원활하게 대응할 것으로 기대했다. 아울러 현지 지역 경제 활성화와 중국 서부지역 산업 성장에도 긍정적인 파급효과가 있을 것으로 예상했다. 삼성전자는 2012년 시안 반도체 라인 1기 기공식을 시작으로 2013년 전자연구소 설립, 2014년 1세대 V낸드 양산, 2015년 후공정 라인 완공 등 꾸준하게 투자하고 있다.

업계는 삼성전자의 이번 대규모 투자가 미국의 통상 압박을 받고 있는 중국 정부에 어떤 영향을 줄지 주목하고 있다. 월스트리트저널과 파이낸셜타임스 등 외신에 따르면 미국은 중국에 미국산 반도체 구매 확대를 요구했고, 중국 측은 한국과 대만산 반도체 수입을 줄이는 대신 미국산 반도체 구매를 늘리는 방안을 제시한 것으로 알려졌다. 박정일기자 comja77@dt.co.kr