29일 경기도 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 진행된 '삼성-SAP 리서치센터' 개소식에서 전영현 삼성전자 메모리사업부 사장과 어데어 폭스 마틴 SAP 아시아태평양지역 회장이 현판을 들고 기념 촬영을 하고 있다. <삼성전자 제공>
[디지털타임스 김은 기자] 삼성전자는 에스에이피(SAP)와 차세대 인메모리 플랫폼 연구 개발을 위한 '공동 리서치센터'를 다음 달부터 운영한다고 29일 밝혔다.
SAP는 인메모리 데이터베이스(DB)·기업용 소프트웨어(SW) 부문 글로벌 1위 기업으로 꼽힌다. 인메모리 데이터베이스란 개별 디스크가 아니라 메인메모리에 초대용량 데이터를 저장해 처리속도를 높임으로써 기업들에 유용한 정보저장·처리 방식을 제공한다.
삼성전자와 SAP는 경기도 화성 삼성전자 부품연구동(DSR)에서 전영현 삼성전자 메모리사업부 사장과 어데어 폭스 마틴 SAP 아시아 태평양 지역 회장 등이 참석한 가운데 '공동 리서치센터' 개소식을 가졌다. 양사는 차세대 메모리 공동 연구와 사업화 추진을 통해 글로벌 인메모리 솔루션 시장의 혁신을 선도한다는 전략이다.
메모리 시장의 선도기업인 삼성전자와 기업용 소프트웨어 분야의 SAP는 지난해 인메모리 플랫폼 'SAP HANA'의 공동 기술 개발에 합의했다. 이후 삼성전자 메모리사업부와 SAP HANA(SAP의 인메모리 플랫폼 이름) 개발 조직인 SAP 랩 코리아 간의 협업으로 이번 리서치센터 설립이 추진됐다.
이를 위해 지난 6월 양사는 차세대 초고속·고용량 D램 모듈과 인메모리 기술 개발을 위한 '차세대 인메모리 플랫폼 개발 업무협약(MOU)' 체결 등 '공동 리서치센터' 운영 준비에 박차를 가해 왔다.삼성전자 부품연구동(DSR)에 세운 '공동 리서치센터'는 소형 데이터센터를 운영하는 전용 서버 룸과 양사 연구개발 임직원이 근무하는 사무실로 구성했다. 양사는 글로벌 고객들이 'SAP HANA'를 도입하기 전 리서치센터에서 시험 운용 등 제반 지원으로 고객들에게 최적의 솔루션을 제공할 계획이다. 또 인메모리 시스템용 초고용량 메모리 개발과 도입을 위한 제반 평가도 진행될 예정이다.
특히 양사는 20나노 D램 기반 128GB 3DS(3차원 수직 적층) 모듈을 탑재해 단일 서버로 최대 24TB급의 인메모리 플랫폼 'SAP HANA'를 구현한다. 향후 10나노급 D램 기반 256GB 3DS 모듈을 탑재해 차세대 시스템의 성능을 더욱 높일 계획이다. 또 시스템 운영 소비전력도 최소화해 고객들의 IT 투자 효율을 높인 솔루션을 개발할 계획이다.
전영현 삼성전자 사장은 "10나노급 D램 양산으로 SAP의 차세대 인메모리 시스템에 최적의 솔루션을 적기에 제공할 수 있게 됐다"며 "향후 기술 리더십을 더욱 강화해 '초고용량 메모리 시대'를 지속 주도해 나갈 것"이라고 강조했다.
