김기남 사장, 플래시 메모리 서밋 `평생공로상`

김기남 삼성전자 반도체총괄 겸 시스템LSI 사업부 사장(사진)이 미국 캘리포니아에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2016(Flash Memory Summit)'에서 평생공로상을 수상했다.

11일 삼성전자에 따르면 김 사장은 삼성전자가 그동안 낸드플래시 용량을 획기적으로 늘리며 메모리반도체 기술을 발전시킨 데 주도적 역할을 한 공로를 인정받아 FMS로부터 이 상을 받았다. 플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit)은 매년 미국에서 열리는 세계 최대 플래시 메모리 업계 콘퍼런스다.

플래시 메모리 서밋 측은 "김 사장은 2000년 이후 삼성전자의 24단, 32단, 48단의 적층 구조 낸드플래시(V낸드) 개발에 관여하는 등 플래시 메모리 업계에서 중요한 역할을 수행해왔다"며 "이밖에 차지 트래핑(Charge-trapping) 낸드플래시, 고집적도의 노어플래시, 낸드플래시 메모리 등 혁신적인 발명을 했다"며 수상이유를 밝혔다. FMS 평생공로상은 플래시 메모리 관련 기술의 개발과 시장 확대에 뛰어난 리더십을 보여준 개인에게 매년 수여하는 상이다.

김기남 사장은 수상 소감에서 "2003년 삼성전자 반도체연구소장을 지냈을 때부터 평면 구조 낸드플래시의 한계를 극복하기 위해 혁신적인 기술이 필요할 것이라고 생각했고 여러 기술적인 어려움에도 불구하고 V낸드 개발을 위해 지속적인 노력을 해왔다"고 설명했다. 이어 그는 "올해 말 64단 V낸드를 양산할 계획이며 가까운 미래에 1TB 낸드 플래시가 현실이 될 것으로 믿고 이는 곧 100단 이상을 쌓을 수 있다는 의미"라고 강조했다.

한편 서울대학교 전자공학과를 졸업한 김 사장은 한국과학기술원과 UCLA에서 전자공학 석사와 박사 학위를 받았다. 1982년 삼성전자에 입사한 후 반도체연구소 D램팀 팀장, 삼성전자 DS부문 반도체연구소 소장, 삼성종합기술원장 등을 지냈다. 이후 그는 삼성디스플레이 대표이사, 삼성전자 DS 부문 메모리사업부장 등을 거쳤다. 현재 미국 전기·전자학회(IEEE) 석학회원임과 동시에 한국과학기술한림원 정회원이다.

김은기자 silverkim@