<TI 제공>
<TI 제공>
TI는 업계 최초로 80V, 10A 내장형 질화갈륨(GaN) 전계효과트랜지스터(FET) 전력단 프로토타입을 출시했다고 17일 밝혔다.

이 제품은 실리콘 기반 설계보다 25% 적은 전력 손실을 구현하며, 언더필(underfill)이 필요 없어 고전압 간격 문제를 해결하고 동시에 간편한 보드 제조와 비용 절감 효과도 얻을 수 있다고 TI측은 설명했다.

LMG5200은 개당 50달러로 최대 10개까지 구매할 수 있으며, LMG5200 EVM의 판매 가격은 299달러다.

박정일기자 comja77@dt.co.kr

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