반도체 내부에 정보를 저장하는 공간을 `셀(Cell)'이라고 합니다. 셀은 1개의 트랜지스터와 캐패시터로 구성되어있는데요, 1기가 제품은 셀의 수가 10억개에 이른다고 합니다.
반도체에 많은 셀을 넣을수록 용량은 커지는데, 손톱만한 반도체 평면에 셀을 집적하다보니 물리적인 한계에 부딪혀 고안한 방법이 `스택(stack)'과 `트렌치(trench)'입니다.
스택은 말그대로 셀을 복층으로 쌓아올려 집적도를 높이는 방식이고, 트렌치는 반도체소자를 아래로 파고 내려가며 만든 공간에 셀을 넣어 집적도를 높이는 방법입니다. 10층짜리 건물을 짓는데 지상으로 지을 것인지 지하로 지을 것인지의 문제라고 생각하시면 됩니다.
두 방식은 각각 장단점이 있었지만 최근에는 제품 불량이 있을 경우 셀을 확인하기 쉬운 스택 방식이 더 각광받고 있으며, 반도체 후발주자였던 삼성전자가 일본업체와 격차를 좁힐 수 있던 계기가 되기도 했습니다.
반도체에 많은 셀을 넣을수록 용량은 커지는데, 손톱만한 반도체 평면에 셀을 집적하다보니 물리적인 한계에 부딪혀 고안한 방법이 `스택(stack)'과 `트렌치(trench)'입니다.
스택은 말그대로 셀을 복층으로 쌓아올려 집적도를 높이는 방식이고, 트렌치는 반도체소자를 아래로 파고 내려가며 만든 공간에 셀을 넣어 집적도를 높이는 방법입니다. 10층짜리 건물을 짓는데 지상으로 지을 것인지 지하로 지을 것인지의 문제라고 생각하시면 됩니다.
두 방식은 각각 장단점이 있었지만 최근에는 제품 불량이 있을 경우 셀을 확인하기 쉬운 스택 방식이 더 각광받고 있으며, 반도체 후발주자였던 삼성전자가 일본업체와 격차를 좁힐 수 있던 계기가 되기도 했습니다.
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