하이닉스 48나노 낸드 첫 양산

54나노 D램도 빠르면 6월부터 본 생산 시작

삼성전자는 50나노급 D램 세계최초 양산 돌입


하이닉스가 이 달부터 48나노 낸드플래시 메모리 생산을 시작했고, 54나노 D램은 빠르면 6월부터 양산에 들어간다. 또 삼성전자는 이미 이 달부터 56나노 D램 양산에 돌입했다.

40나노급 낸드플래시 양산은 하이닉스가 세계 최초이며, 50나노급 D램 양산은 삼성전자가 업계 처음이다. 이에 세계 메모리 시장에서 국내 반도체 양대 기업의 기술 주도권이 더욱 확고해질 전망이다.

지난 18일 하이닉스반도체 김종갑 사장은 경기 이천 본사에서 기자간담회를 열고 "48나노 낸드플래시는 3월 양산 품질 검증을 마치고, 이 달부터 월 1만장(웨이퍼기준) 규모로 양산에 들어갔고, 54나노 D램은 4∼5월 양산 수율 및 품질 검증을 마치고 6∼7월부터 양산을 시작한다"고 말했다. ▶관련 인터뷰 20면

최진석 부사장은 "48나노 16Gb 낸드 샘플은 지난달 주요 고객사에 줬고, 이달 중 애플에만 공급하면 모두 주는 셈이며, (고객사 주문에 따라) 1만장 인풋 생산에 들어갔으니 5월쯤이면 아웃풋 제품이 나올 것"이라며, 연말에 41나노 공정 전환시 32Gb 제품 양산에 들어갈 것이라고 설명했다. 최 부사장은 이어 "54나노 D램은 샘플 출하와 양산 수율검증을 끝냈고, 수율이 높은 두 번째 버전이 5월 양산 검증을 마치면 6∼7월경 본양산에 들어갈 것"이라고 덧붙였다.

40나노급 낸드플래시 양산은 하이닉스가 업계 처음이다. 다만 16Gb 낸드 제품으로는 지난해 삼성전자(51나노)와 도시바(56나노)가 양산을 시작했다. 삼성전자가 연내 42나노 32Gb 낸드제품을, 하이닉스가 연말에 41나노 32Gb 제품을 각각 양산할 계획이다. 초점은 누가 32Gb 제품을 먼저 양산하느냐로 기술 우위를 판가름할 것으로 보인다.

지난 19일 삼성전자는 4월 중순쯤 56나노 D램 양산을 개시했다고 밝혔다. 삼성전자 관계자는 "지난해 3월 68나노 D램 양산을 시작한지 1년여만에 세계 최초로 56나노 D램 생산에 들어갔다"며 "56나노 공정으로 전환함에 따라 칩 생산성은 약 50% 늘어나고, 칩 전력소모율은 30% 가량 줄어든다"고 말했다.

한편 이날 김종갑 사장은 최근 하이닉스의 66나노 D램 양산라인에 품질문제가 생겨 대량으로 웨이퍼를 폐기했고, 48나노 낸드 양산시기의 지체(올 1분기에서 2분기로) 및 M11 낸드 공장 가동시기를 다소 늦출 것이라는 대만 등 일부 해외언론 보도에 대해 "전혀 사실이 아니다"며 일축했다.

김 사장은 "지난해 66나노 D램 수율이 욕심만큼 올라가지 못한 건 사실이지만, 대부분 문제는 해결됐고, 1∼2개월 후면 (85% 이상의 좋은 수율이 나온다는 것을) 알게 될 것"이라며 "66나노 문제를 해결하지 않고는 54나노 D램 공정으로 넘어갈 수 없는 것이며, 54나노 양산검증 데이터를 보니 선발주자(삼성전자)와 간격을 좁힐 수 있을 만큼 기술이 돼 있다"고 말했다.

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또 그는 "48나노 낸드 양산시기가 다소 늦어진 것은 과거처럼 양산 수율 검증을 제대로 하지 않고 양산에 들어가서 생길 수 있는 문제를 최소화하기 위해 양산검증을 했기 때문인데, 조금 늦긴 해도 기대 수준 이상으로 가고 있다"고 말했다.

김승룡기자 srkim@