실리콘-절연체-실리콘의 3층 구조로 되어 있는 웨이퍼로, 약어로는 SOI로 표기됩니다.
전자부품 내부에서는 서로 가까이 있는 도체들 사이에 불필요한 전기적 용량이 발생하여 정상적인 동작에 나쁜 영향을 주는데, 실리콘 온 인슐레이터 구조를 적용하면 회로를 형성하는 기판 표면과 하층 사이에 얇은 절연막이 있으므로 이와 같은 영향을 줄일 수 있습니다. 이에 따라 반도체의 동작 속도를 빠르게 할 수 있고, 소비 전력을 낮출 수 있습니다.
최근 하이닉스가 개발에 착수한 Z램이 바로 실리콘 온 인슐레이터 구조에 기반을 두고 있습니다. Z램은 별도의 캐패시터 없이도 데이터의 저장이 가능한 기술입니다.
전자부품 내부에서는 서로 가까이 있는 도체들 사이에 불필요한 전기적 용량이 발생하여 정상적인 동작에 나쁜 영향을 주는데, 실리콘 온 인슐레이터 구조를 적용하면 회로를 형성하는 기판 표면과 하층 사이에 얇은 절연막이 있으므로 이와 같은 영향을 줄일 수 있습니다. 이에 따라 반도체의 동작 속도를 빠르게 할 수 있고, 소비 전력을 낮출 수 있습니다.
최근 하이닉스가 개발에 착수한 Z램이 바로 실리콘 온 인슐레이터 구조에 기반을 두고 있습니다. Z램은 별도의 캐패시터 없이도 데이터의 저장이 가능한 기술입니다.
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