낸드플래시 전략 맞선다

하이닉스 "라인 전환" vs 삼성전자 "50나노 양산"
낸드 가격반등 시장경쟁


최근 낸드플래시 가격이 반등하고 있는 가운데 향후 삼성전자와 하이닉스의 낸드플래시 전략이 대조를 이룰 것으로 보인다.

11일 메모리반도체 업계에 따르면 하이닉스는 향후 시장 상황에 따라 D램 라인을 낸드 라인으로 전환할 수 있다는 입장인 반면, 삼성전자는 기존 라인의 변화 없이 디자인룰(회로선폭) 진화를 통한 양산능력 확대에 초점을 맞춘다는 전략이어서 주목된다.

현재 삼성전자는 전체 메모리 가운데 금액기준으로 낸드플래시가 차지하는 비중이 30%인 데 반해 하이닉스는 10%대로 상대적으로 하이닉스의 낸드플래시 비중이 낮다. 이에 따라 낸드플래시 시장이 호전될 경우 하이닉스는 낸드플래시의 비중을 늘려야 하는 상황이다.

이와 관련 하이닉스 관계자는 "D램의 회복이 더뎌 낸드플래시에서 어떤 전략이 나올 수도 있다"며 "현 상황을 좀 더 지켜본 후 라인 전환 여부를 결정할 것"이라고 말했다. 이 관계자는 다만 D램 라인을 낸드 라인으로 전환하는 데 한달 정도로 짧게 걸려 전환하는 데는 큰 어려움이 없을 것이라고 말해 낸드플래시 시장이 안정화되고 수요가 늘어날 경우 D램 라인을 낸드플래시 생산라인으로 빠르게 전환하겠다는 의지를 내비쳤다.

이 관계자는 하이닉스의 라인은 플렉서블하다며, D램 시장을 1∼2주 정도 지켜본 후 변화에 대응할 것이라고 설명했다.

반면 삼성전자 관계자는 "기존 D램과 낸드 플래시 라인의 조정을 한다든지 하는 특별한 변화는 없을 것"이라면서 "50나노 양산 공정을 발빠르게 적용해 생산성을 올려 양산능력을 확대할 것"이라고 말했다.

이 관계자는 올해 낸드플래시 시장의 관건은 하반기라며, 현재의 가격 반등추세는 불안정해 갑자기 라인을 전환한다든지 하는 변화는 없을 것이라고 설명했다. 그는 기존 라인을 유지한 상태에서 하반기에 50나노 낸드플래시의 비중을 늘려 가격 경쟁력을 확보하고 시장 지배력을 유지해 나갈 것이라고 설명했다.

양사의 낸드플래시 전략의 이같은 차이는 삼성전자가 30% 비중으로 안정적인 캐파를 확보한 반면, 하이닉스는 지난해말과 올초 D램 비중을 대폭 늘려 낸드 플래시의 캐파가 부족해진 데 따른 것으로 전문가들은 풀이하고 있다.

오동희기자 hunter@