하이닉스, 0.18㎛ 고전압 공정기술 개발

하이닉스 반도체(대표 우의제)가 0.18㎛의 하이볼티지(고전압) 공정 기술을 세계 최초로 개발했다.

25일 하이닉스는 0.25㎛에 이어 0.18㎛의 미세선폭으로도 고전압 IC를 양산할 수 있는 미세 하이볼티지 공정개발에 성공함에 따라 전력은 낮추면서도 구동전압은 높이는 고부가치 고전압 공정을 보유할 수 있게 됐다고 밝혔다. 또한 지난 1998년 삼성전자가 아날로그 및 고전압 특화 팹인 부천공장을 미국 페어차일드에 매각함으로써 국내 유일의 하이볼티지 IC 제조업체가 된데 이어, 이번 공정기술 개발로 세계적인 하이볼티지 특화 업체로 도약할 수 있게 됐다고 덧붙였다.

고전압 공정기술은 구동전압이 점점 높아지고 있는 LCD 구동 IC(LDI)용 핵심공정기술이다. 기존 0.25 및 0.35㎛ 공정으로는 2~3개의 칩이 필요하지만, 0.18㎛의 고전압 공정기술을 이용하면 소스 및 게이트 드라이버, 컨트롤러, 직류전압 변환 회로, 프레임 메모리(S램) 등을 모두 단일 칩으로 구현할 수 있다.

특히 0.18 공정으로는 칩 크기를 기존의 30%까지 줄일 수 있어 하이닉스는 이번 0.18㎛의 고전압 공정으로 가격 경쟁이 치열해지고 있는 LDI 시장에서 경쟁우위를 점할 수 있을 것으로 보고 있다.

LDI는 휴대폰 디스플레이 화면이 커지고 해상도의 증가로 처리해야 하는 프레임 수가 많아짐에 따라 구동전압도 점점 높아지고 있는 추세다. 따라서 높아지고 있는 구동전압에 대응하면서도 전력소모와 크기를 함께 낮추기 위한 미세 회로선폭 기술 개발이 업계의 화두였다.

이번 기술은 이미 국내 LDI 설계업체의 제품 생산에 적용되고 있으며 하이닉스는 연말까지 추가공정단순화를 통해 초저전력 고전압공정을 개발할 예정이다.

허정화기자