D램기술 "역시 코리아"

삼성전자와 하이닉스반도체 등 국내 반도체 소자업체들이 외국 D램 업체들과의 기가비트(Gb) DDR D램 기술경쟁에서 앞서 나가고 있어 주목된다.

하이닉스반도체가 지난 11일 세계 최초로 1Gb DDR2 D램을 출시한 데 대해 반도체 업계는 놀랍다는 반응을 보이고 있다. 업계가 전반적으로 하이닉스가 그동안 자금 유동성 문제로 어려움을 겪으면서 기술개발이 경쟁업체들보다 뒤처졌을 것으로 평가해 왔던 게 사실이기 때문.

하지만 하이닉스의 세계 최초 1Gb DDR2 개발에 이어 삼성전자도 올 4ㆍ4분기 이 제품을 개발, 내년부터 90나노(㎚) 공정기술을 적용해 양산에 나설 것으로 알려지면서 마이크론과 인피니온 등 외국 경쟁업체들이 바짝 긴장하는 분위기다.

12일 삼성전자 관계자는 "삼성전자도 제품 개발 로드맵에 따라 4ㆍ4분기에 1Gb DDR2 D램을 내놓을 계획이었는데 하이닉스가 한발 먼저 발표해 반도체 업계에선 놀라고 있다"며 "마이크론과 인피니온 등도 하이닉스의 기술에 긴장하고 있을 것"이라고 평가했다.

이 관계자는 "삼성전자는 하이닉스의 공정(0.11㎛)보다 한단계 진전된 나노 기술로 개발한 1Gb DDR2 제품을 4ㆍ4분기에 내놓고, 인텔의 칩셋이 출시되는 내년 초의 시장분위기를 보아서 90나노 제품 양산시기를 결정할 계획"이라고 말했다.

이처럼 삼성전자와 하이닉스가 DDR에 이어 DDR2 시장에서 기술을 선도해 나가는 양상이 이어질 경우, 국내 업체들은 서버나 워크스테이션 등 고급 사양의 D램 시장 조기 선점은 물론, 2004년 중반 이후 본격 형성될 것으로 예상되는 PC 메모리용 DDR2 시장도 선점할 수 있을 것으로 보인다.

현재 마이크론이나 인피니온은 0.15㎛에서 0.13㎛으로의 양산 공정 전환에도 어려움을 겪고 있어, 0.11㎛ 이하의 공정기술을 기반으로한 국내 업체들의 기술선도 행보를 뒤쫓아오기가 힘든 상황인 것으로 전해지고 있다.

이에 따라 DDR의 비중을 높이고 있는 삼성전자와 하이닉스 등 국내 D램 소자업체들이 DDR2 제품의 개발에 이어 양산까지 선도할 경우, 내년 중반부터 꽃피우기 시작할 DDR2 D램시장은 물론 세계 D램 시장의 주도권을 계속 유지할 수 있을 것으로 전문가들은 분석하고 있다.

오동희기자