삼성전자, 300㎜웨이퍼 원가경쟁 주도

D램 선두업체인 삼성전자의 300㎜ 웨이퍼 가공비용이 빠르게 낮아지고 있어, 올 11월께에는 200㎜ 웨이퍼를 사용하는 경우보다 싼 값에 D램을 생산할 수 있게될 전망이다. 그 뿐만 아니라 인피니온ㆍ마이크론 등 후발 업체들도 300㎜ 라인 건설 및 안정화에 박차를 가하고 있어, 내년 초부터는 D램 메이저들의 본격적인 300㎜ 양산체제 돌입에 따른 원가경쟁이 한층 치열하게 전개될 전망이다.

26일 삼성전자 등에 따르면, 300㎜ 웨이퍼의 수율향상과 웨이퍼 가격하락, D램 수요 증가 등의 시장 환경변화를 감안할 때 오는 11월 또는 12월께에는 D램 제조 원가경쟁력에서 300㎜ 웨이퍼가 200㎜를 앞서기 시작할 것으로 보인다.

김일웅 삼성전자 메모리사업부 상무는 최근 "12인치(300㎜) 생산비용이 8인치(200㎜) 수준으로 되는 코스트 크로스오버(생산비용 역전)가 11~12월께 가능할 것으로 보인다"고 말했다.

모건스탠리에 따르면, 200㎜ 웨이퍼를 월 4만장 가공하는 경우와 비교해, 300㎜ 웨이퍼의 장당 제조원가는 월 1만장 규모일 때 2.3배 높은 데 비해 원가 절감률은 1% 수준으로 미미하지만, 월 1만8000장일 경우엔 제조원가는 1.8배로 낮아지고 원가절감률은 23%에 달할 것으로 분석된다.

따라서 삼성전자가 11라인에서 300㎜ 웨이퍼를 월 7000장 생산하는 현재 수준에서는 300㎜ 웨이퍼로 D램을 생산하는 비용이 200㎜보다 많이 들지만, 생산규모가 2만장 이상으로 크게 늘어나는 연말께에는 300㎜의 경쟁력이 200㎜를 앞서게 된다는 것.

웨이퍼 크기 전환에 따라 생산량이 2.25배 늘어나는 데다, 공정기술이 0.13미크론(㎛)에서 0.11㎛으로 바뀌면서 생산량이 추가로 50% 가량 늘 것으로 보여, 삼성전자의 원가경쟁력은 더욱 커질 것으로 예상된다.

삼성전자 관계자는 "300㎜의 생산비용이 200㎜보다 저렴해지는 시점에 300㎜라인에서 512Mb D램과 1Gb 난드 플래시 메모리까지 양산해, 현재 타경쟁사보다 30% 가량 앞서는 가격경쟁력의 격차를 더욱 넓힐 계획"이라고 말했다.

이에 따라 세계 D램 업체간 300㎜ 양산체제 돌입 경쟁은 올 연말을 기점으로 더욱 치열해질 것으로 예상된다. 발표 내용의 신뢰성에 대한 시비가 있기는 하지만, 이미 인피니온은 작년 말 드레스덴 라인에서 300㎜로의 전환에 성공, 300㎜의 제조원가가 200㎜ 아래로 떨어졌다고 밝힌 바 있고, 마이크론은 올해 전체 투자비 10억 달러 중 16%를 버지니아주의 300㎜ 웨이퍼 시험라인 건설에 투자해 주당 500장의 웨이퍼를 생산할 계획을 갖고 있다. 또 하이닉스반도체도 내년 하반기 시험생산을 목표로 청주공장에 300㎜라인 구축을 위한 부설연구소 설립에 들어가는 등 세계 D램업체들은 300㎜로의 공정전환에 박차를 가하고 있다.

따라서 D램 시장에서의 승패의 분수령은 누가 가장 먼저, 가장 적은 비용으로 300㎜ 웨이퍼 양산 가공체제를 구축하느냐에 달린 것으로 풀이된다.

오동희기자