삼성전자, `VLSI 심포지엄`서 CMOS P램등 논문 22편 발표

삼성전자(대표 윤종용)가 최고 권위의 반도체 학회인 `VLSI(대규모 집적회로) 심포지엄'에서 차세대 반도체 기술을 대거 선보였다.

삼성전자는 10일부터 오는 14일까지 일본 교토에서 열리는 `2003년 VLSI 심포지엄(2003 Symposia on VLSI)'에서 CMOS P램(Phase―change RAM), 90나노 노어(NOR) 플래시메모리, 90나노 S램, 65나노급 SoC(시스템온칩) 요소공정기술 등 논문 22편을 발표했다.

P램은 D램의 휘발성과 집적도의 한계를 극복하기 위해 기존 실리콘 대신 비휘발성 상(相)변화물질을 이용한 신개념 메모리반도체로, 삼성전자가 업계 처음으로 개발했으며 노어 플래시는 90나노 공정기술을 이용, 칩 크기를 절반으로 축소시킨 최소형 제품을 탄생시켰다.

또 SoC 공정기술부문에서도 `유전막 기술'과 `저온 증착 기술' 등 65나노급 제품 개발에 필요한 독자적인 핵심기술들을 선보였다.

심포지엄에 참석한 삼성전자 선행공정개발팀 강호규 상무는 "2004년부터는 90나노 이하급 반도체의 상용화가 본격화될 것"으로 전망하며 "이번 VLSI 학회에서 90나노급 양산 및 65나노급 제품개발에 필수적인 핵심 요소기술들을 발표함으로써 차세대 반도체에서도 주도권을 확보했다"고 평가했다.

특히 이번 행사중 가장 주목받는 기술논문을 선정해 발표하는 하이이라이트 세션에서 삼성전자는 세계 최초로 선보인 `RCAT(Recess―Channel―Array Transistor) 개발' 논문이 선정되는 영예를 얻었다. 올해 총 405편의 논문 가운데 166편이 발표논문으로 선정됐으며 삼성전자는 참가업체 가운데 최다인 22편을 발표했다.

한편, VLSI 심포지엄은 세계 3대 반도체 전문 학술대회 가운데 하나로 매년 6월경 미국 하와이와 일본 교토에서 교대로 열린다.

백용대기자