하이닉스, 휴대폰용 고주파 PLL IC 개발

하이닉스, 0.25㎛ CMOS 공정 적용


하이닉스반도체가 D램 제조공정인 상보성금속산화물반도체(CMOS) 공정을 적용, 휴대폰용 핵심부품인 고주파 PLL(주파수 합성기) IC를 출시했다.

5일 하이닉스는 이 회사의 0.25㎛ CMOS 공정을 적용, 순수 자체 기술로 고주파 PLL IC 개발에 성공했으며 내달부터 청주 팹4 에서 양산에 들어간다고 발표했다.

하이닉스는 큐리텔, 인터큐브, 세원텔레컴등 국내 휴대폰 제조업체들 공급을 확정했거나 협상을 진행하고 있으며 초기에 월 10만개의 생산할 것이라고 밝혔다.

CMOS 공정은 D램을 비롯한 일반 범용 반도체 제조공정으로 집적도가 높고 제조비용과 소비전력이 낮은 장점이 있으나 상대적으로 잡음도가 높아 PLL등 통신용 반도체 적용하기가 까다로운 것으로 알려져있는 공정이다.

반도체 회사중에 PLL을 CMOS 로 구현한 회사는 하이닉스외에 네셔널세미컨덕터로부터 출자를 받은 GCT 세미컨덕터가 있으며 GCT의 제품은 PLL과 VCX를 함께 구현한 제품인 반면 이번에 하이닉스가 상용화한 제품은 PLL단품 IC다.

이번 CMOS PLL은 아날로그 및 디지털 방식의 CDMA, GSM 등 모든 이동통신 방식과 GPS(위치측정시스템)을 지원하며 레지스터값만 변경하면 다른회사의 PLL제품과도 호환된다고 회사측은 덧붙였다.

현재 국내 휴대폰용 PLL시장은 내셔널 세미컨덕터가 약 70%를 점유하고 있을 정도로 외국 단일 업체에 대한 칩 의존도가 큰 상황이다. 하이닉스측은 올해 3500억원대로 예상되고있는 세계 휴대폰용 PLL시장의 10% 점유를 목표로하고 있다며 블루투스 기기용 PLL로 제품을 확대해나갈 방침이라고 밝혔다.

허정화기자