삼성, DDR-II D램 개발

삼성전자(www.sec.co.kr 대표 윤종용)는 차세대 메모리반도체로 부상하고 있는 ‘DDR-Ⅱ’규격의 D램을 세계 최초로 개발했다고 27일 밝혔다.

이번 제품은 지난 3월 국제전기전자표준협회인 제덱(JEDEC)이 정한 ‘DDR-Ⅱ’규격을 지원하는 첫 제품으로 한번의 클록 사이클 동안 데이터를 병렬처리함으로써 기존 DDR제품보다 데이터 처리속도가 2배 이상 빠른 2세대 DDR 메모리이다.

집적도가 512Mb인 이번 제품은 데이터 전송속도가 533/667Mbps로 1초에 한글 4100만자의 분량을 처리할 수 있다.

삼성전자는 이번 제품에 1.8V 저전력 동작전압·0.12㎛ 초미세공정기술·FBGA 패키지·OCD(Off Chip Driver calibration)·ODT(On Die Termination) 등 초고속 동작을 위한 각종 신기술을 적용했으며, 총 47건의 신기술 특허 출원을 신청해 이중 8건에 대해서는 미국특허를 획득했다고 설명했다.

삼성전자는 또 작년부터 미국 IBM과 ‘DDR-Ⅱ’ 규격의 제품 성능테스트 프로젝트를 진행해 지난 4월 IBM의 시스템에서 제품이 완벽하게 동작하는 것을 확인했다고 부연했다.

IBM의 메모리 인증 게리 트레슬러 매니저는 “삼성전자의 ‘DDR-Ⅱ’ D램은 앞으로 IBM에서 개발할 고성능 시스템을 완벽하게 지원하게 될 것으로 예상된다”고 말했다.

삼성전자의 메모리 상품기획팀 팀장인 강준 전무는 “이번 제품개발로 DDR-Ⅰ, 램버스 D램, DDR-Ⅱ에 이르는 3대 차세대 고속 D램 제품의 포트폴리오를 가장 먼저 확보함으로써 차세대 고성능 D램 시장의 주도권을 더욱 강화할 수 있게 됐다.”고 말했다.

삼성전자는 512Mb DDR-Ⅱ D램을 연말부터 양산할 계획이며, DDR 제품의 생산비중도 연말까지 전체 D램의 50%이상으로 확대해 고성능 D램 시장을 주도할 계획이다.

<김홍식기자>