<2002 새해특집> 주목받는 신기술.. 포스트 D램

“포스트 D램을 향하여 앞으로”

1990년대 말부터 기술적인 부분이 소개되기 시작한 차세대 메모리 기술들은 지난해 전반적인 시장 불황 속에서 차세대 기술로만 인지되다가 올해부터 본격적인 상용화의 길로 접어들 것으로 기대를 모으고 있다.

10여년 이상 메모리 반도체의 왕좌를 차지했던 D램의 치명적인 단점은 바로 건망증. 전원이 중단됨과 동시에 모든 데이터를 잊어버리는 것은 물론 전원이 켜져 있는 동안에도 데이터를 잊어버릴까봐 쉴 새 없이 읽고 쓰기를 반복하는 메모리가 바로 D램이다. 이를 보완하기 위해서 컴퓨터에는 캐시 메모리라고하는 부수적인 메모리가 반드시 탑재된다. 전원이 나가도 정보를 유지하는 플래시 메모리라고 하는 기특한 제품이 있기는 하지만 너무 느리고 용량도 작아 휴대폰의 전화번호 저장 정도가 가장 일반적으로 사용되고 있는 형편이다.

PDA, 휴대폰등 휴대형 기기용 차세대 메모리 반도체라고 하면 적어도 D램의 저렴한 가격과 큰 용량, 전원이 나가도 데이터를 잃지 않는 플래시 메모리의 불휘발성, 저전력 소모의 특징을 고루 갖추고 있어야 한다.

이러한 차세대 메모리로 급부상하고 있는 기술들은 Fe(Ferroelectric)램, M(Magnetic)램, 일명 슈도(Pseudo)S램이라 불리는 UT(Uni Transistor)램, 오보닉스 통합 메모리(OUM), 플라스틱 메모리로 불리는 폴리머 강유전체(PFe)램 (polymer ferroelectric RAM)등 줄잡아 5개가 넘는다.

강유전체(Fe)라는 물질을 소재로하는 Fe램은 전원이 끊어져도 정보를 보존하는 특징이 있다. 이처럼 불휘발성임에도 불구하고 플래시 메모리와 비교해서 쓰기 속도는 100배, 고쳐 쓰기 가능횟수는 1000만배에 달한다. 히타치, 도시바, 마쓰시타, NEC등 일본 반도체 업체들의 전폭적인 지지를 받고 있으며 독일의 지멘스가 관심을 보이고 있다. 강유전체를 플라스틱 소재인 폴리머기반으로 재합성한 폴리머 강유전체를 사용하는 PFe램은 인텔이 지원하고 있다.

M램 역시 불휘발성인데다 내구성이 플래시보다 2500배나 강해 안정성이 높다는 평가를 받고 있다. 메모리와 함께 휴대폰, PDA를 구동하는 마이크로 프로세가 통합될수 있다는 장점이 있다.

Fe램, PFe램, M램 모두 빠른 입출력 속도와 불휘발성이라는 장점이 있기는 하지만 신소재 사용으로 인한 높은 생산단가가 단점으로 지적되고 있다. 이 때문에 생산단가가 저렴하면서도 기존 메모리와 호환성이 뛰어난 오보닉스 통합 메모리가 가격과 성능면에서 차세대 메모리로 각광받을 것이라는 의견도 만만치 않다.

UT램은 D램의 대용량, S램의 소형·저전력소모의 장점을 결합한 제품. 삼성은 이 제품을 UT램, 미쓰비시는 모빌램, 하이닉스는 S램과 비슷하다고해서 슈도 S램이라고 부른다. 이 제품은 생산원가 SD램과 거의 비슷한 수준이어서 국내 업체가 가장 큰 기대를 걸고 있는 제품이다.

PDA등 무선 기기용 메모리와는 별도로 네트워크 장비용 차세대 메모리로는 후지쓰와 도시바 진영의 FC램(Fast Cycle RAM)과 인피니언·마이크론이 지원하는 RLD램(Reduced Latency DRAM )이 표준 선점을 위한 세규합에 나서고 있다.

〈허정화기술〉