하이닉스, 1Mb Fe램 개발 성공

하이닉스반도체(구 현대전자, www.hynix.com 대표 박종섭)는 차세대 기억소자로 주목받고 있는 1Mb Fe램(Ferroelectric RAM, 강유전체 메모리)을 개발했다고 3일 밝혔다.

Fe램은 전원이 끊겨도 저장한 데이터를 잃지 않는 비휘발성 메모리로, D램· S램· 플래시메모리의 장점을 모두 갖고 있는 이상적인 기억 소자로 평가받고 있다.

Fe램은 데이터 유지용 커패시터로 강유전체막을 이용, 기존 비휘발성 기억소자인 플래시메모리나 EEP롬보다 동작전압이 낮고, 정보기록 속도는 1000배 이상 빠른 특성을 갖고 있어 최근 주요 반도체 업체들이 앞다퉈 개발에 나서고 있다.

0.35㎛(1미크론=100만분의 1m)의 공정기술이 적용된 이번 Fe램은 동작전압이 3~5V이며 소비전력은 낮으면서 100ns(나노초, 1ns=10억분의 1초)의 고속 동작을 할 수 있다.

하이닉스 측은 각각 2개의 트랜지스터와 커패시터로 구성되는 기존 Fe램과 달리, 이번 제품은 1개의 트랜지스터와 1개의 커패시터만으로 칩을 구성해 크기를 대폭 축소했으며, 강유전체 물질로 SBT(스트론튬 비스무스 탄탈레이트)와 자체 개발한 신물질을 사용했다고 설명했다.

하이닉스는 Fe램이 차세대 이동통신 기기 및 스마트카드 등의 분야에서 수요가 늘고 기존 메모리반도체도 대체할 것으로 예상하고 있으며, 시장에 초기대응하기 위해 연구개발을 포함한 지속적인 활동을 펼칠 계획이다.

<김홍식기자>

〈사진/0503하이닉스〉