한국과 미국 양국이 반도체 글로벌 기술 동맹 수준을 한 단계 높이는 토대를 마련했다. 양국이 보유한 반도체 첨단 공공 팹을 활용한 공동연구와 소부장 성능 평가, 인력 교류 등으로 협력 범위를 넓히기로 했다.
과학기술정보통신부는 9일 서울 양재 엘타워에서 나노종합기술원과 미국 뉴욕 크리에이츠(Creates) 간 기술협력을 위한 양해각서를 체결했다고 밝혔다.
이날 체결식은 지난해 한미 정상회담과 제11차 한미 과학기술공동위원회에서 반도체 분야 기술 교류와 협력 증진을 위한 후속 조치로 마련됐다. 나노종기원과 미국 크리에이츠는 한국과 미국을 각각 대표하는 첨단 공공팹을 운영하는 기관이다. 크리에이츠는 2019년 엠파이어 스테이트 개발(ESD)과 뉴욕주립대가 공동으로 설립한 기관으로, 300㎜ 반도체 연구 인프라를 활용해 IBM 등 글로벌 반도체 기업들과 기술개발 및 인력양성을 지원하고 있다.
두 기관은 각각 보유한 반도체 글로벌 첨단 팹을 연계해 글로벌 협력을 추진한다. 구체적으로 반도체 팹 시설과 인프라를 공동 활용해 양국 기업과 연구자를 위한 R&D와 테스트베드 실증 등을 지원한다. 또한 양국 대학(원)생 인턴십과 장비 엔지니어, 연구자 등 기술인력 교류를 확대하고, R&D·검증시험 등 글로벌 공동연구 프로그램을 추진할 계획이다.
체결식에 이어 두 기관은 국내 연구자와 소부장 관련 기업 등 200여명이 참석한 가운데 첨단 반도체 인프라를 연계 활용하기 위한 '한미 반도체 테스트베드 홍보 콘퍼런스'를 가졌다. 이 자리에서 국내 소부장 기업들은 미국 크리에이츠와 1대 1 비즈니스 미팅 기회를 통해 연계 방안을 모색했다. 과기정통부는 두 기관을 연계한 공동연구개발 과제를 오는 13일까지, 소부장 실증평가지원과제는 오는 30일까지 각각 접수할 예정이다. 인력교류과제는 추후 공고한다.
황판식 과기정통부 연구개발정책실장은 "양국 반도체 팹 연계 활용 사업을 계기로 한미 간 반도체 글로벌 기술 동맹이 더욱 공고해지고, 국내 연구자와 기업의 글로벌 기술 경쟁력 향상과 해외 진출 확대에 기여할 것으로 기대한다"고 말했다.
한편 나노종합기술원은 10일 오후 1시 대전 DCC에서 설립 20주년을 맞아 산학연 나노기술 지원 성과를 재조명하고, 나노반도체 연구개발 지원기관으로 글로벌 미래 비전을 제시하는 '설립 20주년 기념식 및 나노반도체 국제포럼'을 연다. 이준기기자 bongchu@dt.co.kr
나노종합기술원은 9일 서울 엘타워에서 미국 크리에이츠사와 반도체 글로벌 첨단 팹 연계 활용사업 추진을 위한 양해각서를 체결했다. 황판식(왼쪽 두번째) 과기정통부 연구개발정책실장, 박흥수(왼쪽 세번째) 나노종합기술원장이 미국 크리에이츠 관계자와 기념촬영을 하고 있다.
