27일 시장조사업체 옴디아에 따르면 삼성전자의 지난해 4분기 D램 점유율은 45.7%로 1위였다. 이는 2016년 3분기(48.2%) 이후 가장 높은 수준이다.
삼성전자의 점유율은 전 분기(38.7%) 대비 7%포인트 상승했다. 2위인 SK하이닉스와의 점유율 격차는 14%포인트다. 2위와 3위는 SK하이닉스와 마이크론으로 각각 D램 점유율 31.7%, 19.1%를 기록했다.
삼성전자의 D램 매출은 지난해 4분기 80억 달러로 전분기(52억1300만 달러) 대비 53.5% 늘어나는 등 6분기 만에 처음으로 상승세를 보였다. 같은 기간 SK하이닉스의 매출은 46억3400만 달러에서 55억5500만 달러로 19.9% 늘었다.
지난해 4분기 삼성전자의 D램 평균 가격 역시 모바일 D램 가격 상승으로 전 분기 대비 12% 올랐고 출하량은 전 분기 대비 16% 증가했다. DDR5와 HBM(고대역폭 메모리) 등 고부가 제품의 매출이 크게 늘며 매출 상승에 기여한 것으로 풀이된다.
올해도 D램 매출은 전년 대비 증가할 것으로 예상된다. 삼성전자는 올해 HBM 생산을 위해 실리콘 관통 전극(TSV) 생산능력(캐파)을 업계 최고 수준으로 늘릴 계획이다.윤선영기자 sunnyday72@dt.co.kr
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