미세공정 적용 생산성·전력효율↑
기술로 고점논란·중국굴기 돌파
내년 1분기 공급 시장수요 대응
기술로 고점논란·중국굴기 돌파
내년 1분기 공급 시장수요 대응
[디지털타임스 박정일 기자] SK하이닉스가 낸드플래시에 이어 D램에서도 차세대 기술인 2세대 10나노(㎚) 공정 양산 소식을 알렸다. 메모리반도체 가격 하락과 중국의 굴기 등 당면한 위기를 기술력으로 정면 돌파하겠다는 의지가 엿보이는 대목이다.
SK하이닉스는 2세대 10나노급(10나노 중반, 1y) 미세공정을 적용해 생산성과 전력효율을 높인 8기가비트급 DDR D램 개발에 성공했다고 12일 밝혔다. 1세대(10나노 후반, 1x) 제품보다 생산성을 약 20% 향상했고, 전력소비는 15% 이상 줄인 이 제품은 DDR4 규격이 지원하는 최대치인 3200Mbps의 데이터 전송속도를 안정적으로 구현할 수 있다.
특히 데이터 전송속도를 높이기 위해 '4페이즈 클로킹(Phase Clocking)' 설계기술을 적용했다. 이는 데이터 전송 시 주고받는 신호를 기존보다 2배로 늘려 동작 속도와 안정성을 높인 기술이다. 마치 고속도로 톨게이트의 요금 정산소를 늘려 차량 통행을 원활하게 하는 것과 같은 원리다.
아울러 전력소비를 줄이고 데이터 오류 발생 가능성을 낮추기 위해 독자 기술인 '센스 앰프'(Sense Amp) 제어기술도 적용했다고 회사 측은 설명했다. 이 기술은 D램 셀에 전하 상태로 들어가 있는 데이터를 감지하고 증폭해 외부로 전달하는 '센스 앰프'의 성능을 강화한 것으로, 트랜지스터의 구조를 개선해 데이터의 오류 발생 가능성을 낮췄다.
또 데이터·증폭 전달 기능을 하는 회로에 전력 소모가 낮은 내부 전원을 추가, 동작에 필요한 만큼만 전력을 공급하는 등 에너지 효율성을 높였다.
SK하이닉스는 PC와 서버시장을 시작으로, 모바일을 비롯한 다양한 응용처에서 2세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용한다는 방침이다. D램 마케팅 담당 김석 상무는 "이번에 개발 완료된 2세대 10나노급 DDR4는 고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품"이라면서 "내년 1분기부터 공급에 나서 시장수요에 적극적으로 대응할 것"이라고 말했다.
이번 개발에 따라 SK하이닉스는 낸드플래시에 이어 D램도 차세대 공정 양산을 본격적으로 시작한다. SK하이닉스는 이달 초 세계 최초로 96단 4D 낸드플래시 개발 소식을 알렸다.
D램의 경우 삼성전자가 이미 작년 11월부터 2세대 10나노급 서버용 D램 양산을 시작했고, 마이크론 역시 최근 같은 미세공정의 D램 양산을 시작했다고 밝혔다. 세계 D램 3강이 모두 2세대 10나노급 D램 양산을 시작하면서 하위권 업체들과의 격차를 더 벌리게 됐다.
시장조사업체 IHS마킷에 따르면 SK하이닉스의 1분기 기준 글로벌 D램 시장 점유율은 27.4%로 삼성전자(44.4%)에 이어 2위다. 3위인 마이크론까지 합치면 3개 업체의 시장 점유율은 94.9%에 이른다.
박정일기자 comja77@dt.co.kr
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