'5세대 V낸드' 세계 첫 양산
데이터 용량·제품 생산성↑
"메모리 시장변화 가속될 것"
데이터 용량·제품 생산성↑
"메모리 시장변화 가속될 것"
한단계 도약하는 한국 반도체
중국의 굴기와 무역전쟁 등으로 한국의 수출엔진인 반도체 시장이 식어가고 있다는 우려 섞인 전망이 속속 나오는 가운데 삼성전자가 '초격차 전략'으로 모처럼 낭보를 전했다. 어려운 조건 속에서도 세계 1위를 지킬 수 있는 단 하나의 방법은 바로 기술력이라는 것을 제대로 보여준 것이다.
삼성전자는 세계 최초로 차세대 낸드 인터페이스를 적용해 업계 최고 속도를 구현한 '256Gb 5세대 V낸드'를 본격 양산한다고 10일 밝혔다. 이 제품은 평택 공장에서 양산한다.
이는 손톱보다 작은 크기의 공간에 90층 이상의 건축물을 10억 개 이상 짓는 것과 같은 공정 난이도라는 점에서 경쟁사들이 쉽게 따라 할 수 없는 기술이다. 삼성전자는 여기에 독자 개발한 3대 혁신 기술을 적용해 성능과 효율성을 극대화했다.
이 제품에는 단층을 피라미드 모양으로 쌓고, 최상단에서 최하단까지 수직으로 수백 나노미터(㎚) 직경의 미세한 구멍을 뚫는다. 여기에 데이터를 저장하는 '3차원 원통형 CTF 셀(데이터를 저장하는 방)'을 850억 개 이상 형성하는 역대 최고 난이도의 기술을 적용했다.
특히 단수를 올리는데 비례해 높아지는 셀 영역의 높이를 20%나 낮추는 독창적인 기술 개발로 4세대 제품보다 생산성을 30% 이상 높였다고 회사 측은 설명했다. 이는 같은 크기에서 저장할 수 있는 데이터 용량이 더 커진다는 뜻이다.삼성전자는 '5세대 V낸드'의 성능과 생산성을 극대화하기 위해 독자 개발한 △초고속·저전압 동작회로 설계 △고속 쓰기·최단 읽기응답 대기시간 회로 설계 기술 △텅스텐 원자층박막 공정 기술(ALD W) 등 3대 혁신기술을 적용했다. 이를 통해 데이터 입·출력 속도를 기존 4세대보다 1.4배 높였고, 데이터를 쓰는 시간 역시 역대 최단 수준인 1비트 당 500㎲(마이크로 초)로 4세대보다 30% 빠르게 했다. 텅스텐이 들어오는 데이터(전류)를 안정적으로 잡아줄 수 있어 동작 오류를 줄이고 판독 범위를 넓히는 등 안정성도 강화했다.
경계현 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장 부사장은 "5세대 V낸드 적기 개발로 빠르게 성장하는 프리미엄 메모리 시장에서 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 선보이게 됐다"며 "향후 1Tb와 QLC(쿼드레벨셀) 제품까지 V낸드 라인업을 확대해 차세대 메모리 시장의 변화를 더욱 가속화할 것"이라고 말했다.
박정일기자 comja77@dt.co.kr
중국의 굴기와 무역전쟁 등으로 한국의 수출엔진인 반도체 시장이 식어가고 있다는 우려 섞인 전망이 속속 나오는 가운데 삼성전자가 '초격차 전략'으로 모처럼 낭보를 전했다. 어려운 조건 속에서도 세계 1위를 지킬 수 있는 단 하나의 방법은 바로 기술력이라는 것을 제대로 보여준 것이다.
삼성전자는 세계 최초로 차세대 낸드 인터페이스를 적용해 업계 최고 속도를 구현한 '256Gb 5세대 V낸드'를 본격 양산한다고 10일 밝혔다. 이 제품은 평택 공장에서 양산한다.
이는 손톱보다 작은 크기의 공간에 90층 이상의 건축물을 10억 개 이상 짓는 것과 같은 공정 난이도라는 점에서 경쟁사들이 쉽게 따라 할 수 없는 기술이다. 삼성전자는 여기에 독자 개발한 3대 혁신 기술을 적용해 성능과 효율성을 극대화했다.
이 제품에는 단층을 피라미드 모양으로 쌓고, 최상단에서 최하단까지 수직으로 수백 나노미터(㎚) 직경의 미세한 구멍을 뚫는다. 여기에 데이터를 저장하는 '3차원 원통형 CTF 셀(데이터를 저장하는 방)'을 850억 개 이상 형성하는 역대 최고 난이도의 기술을 적용했다.
특히 단수를 올리는데 비례해 높아지는 셀 영역의 높이를 20%나 낮추는 독창적인 기술 개발로 4세대 제품보다 생산성을 30% 이상 높였다고 회사 측은 설명했다. 이는 같은 크기에서 저장할 수 있는 데이터 용량이 더 커진다는 뜻이다.삼성전자는 '5세대 V낸드'의 성능과 생산성을 극대화하기 위해 독자 개발한 △초고속·저전압 동작회로 설계 △고속 쓰기·최단 읽기응답 대기시간 회로 설계 기술 △텅스텐 원자층박막 공정 기술(ALD W) 등 3대 혁신기술을 적용했다. 이를 통해 데이터 입·출력 속도를 기존 4세대보다 1.4배 높였고, 데이터를 쓰는 시간 역시 역대 최단 수준인 1비트 당 500㎲(마이크로 초)로 4세대보다 30% 빠르게 했다. 텅스텐이 들어오는 데이터(전류)를 안정적으로 잡아줄 수 있어 동작 오류를 줄이고 판독 범위를 넓히는 등 안정성도 강화했다.
경계현 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장 부사장은 "5세대 V낸드 적기 개발로 빠르게 성장하는 프리미엄 메모리 시장에서 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 선보이게 됐다"며 "향후 1Tb와 QLC(쿼드레벨셀) 제품까지 V낸드 라인업을 확대해 차세대 메모리 시장의 변화를 더욱 가속화할 것"이라고 말했다.
박정일기자 comja77@dt.co.kr
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