업계 최초 테스트칩 검증 마쳐
자동차용 반도체 고객확보 기대
자동차용 반도체 고객확보 기대
[디지털타임스 박슬기 기자] 삼성전자가 M램을 적용한 완전 공핍형(두개의 실리콘 막 사이에 산화막을 둔 3중 구조) 실리콘 온 인슐레이터(FD-SOI;Fully Depleted-Silicon on Insulator) 양산 준비를 마치며, 파운드리 기술력을 높인다. 사물인터넷(IoT)과 자동차용 반도체 고객사를 확보할 수 있을 것으로 기대된다.
삼성전자는 28나노 FDS 공정을 적용하는 시스템반도체 칩의 내장 메모리로 M램을 사용하기로 NXP반도체와 협의하고, 업계 최초로 양산 전 단계인 테스트칩 검증(테이프 아웃)을 마쳤다고 25일 밝혔다. 테이프아웃은 새로운 칩 설계의 마지막 단계로 칩 생산을 위한 포토마스크가 완성됐다는 것을 의미한다.
M램은 자성체에 전류를 가해 발생하는 자기저항 구조를 이용한 비휘발성 메모리반도체로 플래시 메모리보다 쓰기 속도가 약 1000배 빠르면서 소비 전력이 낮아 차세대 메모리반도체로 주목받고 있다. FDS는 웨이퍼 위에 얇은 산화막을 형성해 소자에서 발생하는 누설 전류를 크게 줄여주는 기술이다. 세계 1위 자동차 반도체 업체 NXP는 삼성전자 이번 28나노 FDS 공정을 i.MX 애플리케이션 프로세서(모바일CPU) 제품에 적용할 계획이다. 자동차용 인포테인먼트 시스템과 IoT용 등 다양한 분야에 쓰일 것으로 기대된다.
이와 함께 삼성전자는 시놉시스, 케이던스 등 다양한 파트너사와 함께 28나노 FDS 공정의 생태계를 구축하기로 했다. 이상현 삼성전자 파운드리 마케팅팀 상무는 "삼성전자는 지난해 28FDS의 공정으로 양산을 시작했으며, 현재 다양한 고객사와 함께 40개 이상의 제품을 테이프 아웃했다"며 "28FDS에 이어 18FDS까지 기술 리더십을 유지해 더 많은 고객사가 삼성전자의 FD-SOI 공정을 이용할 것으로 기대한다"고 말했다. 한편 정은승 삼성전자 파운드리 사업부장 부사장은 오는 26일 중국 상하이에서 열리는 FD-SOI 포럼 기조연설을 통해 FD-SOI 기술 로드맵과 개발 현황 등을 포함한 삼성전자 파운드리 공정 기술을 소개할 예정이다.
박슬기기자 seul@
삼성전자는 28나노 FDS 공정을 적용하는 시스템반도체 칩의 내장 메모리로 M램을 사용하기로 NXP반도체와 협의하고, 업계 최초로 양산 전 단계인 테스트칩 검증(테이프 아웃)을 마쳤다고 25일 밝혔다. 테이프아웃은 새로운 칩 설계의 마지막 단계로 칩 생산을 위한 포토마스크가 완성됐다는 것을 의미한다.
M램은 자성체에 전류를 가해 발생하는 자기저항 구조를 이용한 비휘발성 메모리반도체로 플래시 메모리보다 쓰기 속도가 약 1000배 빠르면서 소비 전력이 낮아 차세대 메모리반도체로 주목받고 있다. FDS는 웨이퍼 위에 얇은 산화막을 형성해 소자에서 발생하는 누설 전류를 크게 줄여주는 기술이다. 세계 1위 자동차 반도체 업체 NXP는 삼성전자 이번 28나노 FDS 공정을 i.MX 애플리케이션 프로세서(모바일CPU) 제품에 적용할 계획이다. 자동차용 인포테인먼트 시스템과 IoT용 등 다양한 분야에 쓰일 것으로 기대된다.
이와 함께 삼성전자는 시놉시스, 케이던스 등 다양한 파트너사와 함께 28나노 FDS 공정의 생태계를 구축하기로 했다. 이상현 삼성전자 파운드리 마케팅팀 상무는 "삼성전자는 지난해 28FDS의 공정으로 양산을 시작했으며, 현재 다양한 고객사와 함께 40개 이상의 제품을 테이프 아웃했다"며 "28FDS에 이어 18FDS까지 기술 리더십을 유지해 더 많은 고객사가 삼성전자의 FD-SOI 공정을 이용할 것으로 기대한다"고 말했다. 한편 정은승 삼성전자 파운드리 사업부장 부사장은 오는 26일 중국 상하이에서 열리는 FD-SOI 포럼 기조연설을 통해 FD-SOI 기술 로드맵과 개발 현황 등을 포함한 삼성전자 파운드리 공정 기술을 소개할 예정이다.
박슬기기자 seul@
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