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인텔, 내년 반도체 시설투자 다시 늘린다

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37% 상향 100억달러 책정 … 차세대 메모리 미·중 신규 생산라인에 집중
'3D 크로스포인트' 기술 상용화 속도… 국내업계 긴장
인텔, 내년 반도체 시설투자 다시 늘린다
인텔이 내년 시설투자를 100억달러(한화 11조5000억원) 수준으로 책정했다. 애초에 제시한 수치보다 37% 이상 늘렸다. 증액하는 투자금의 50% 수준을 차세대 메모리 반도체 생산라인에 집중할 것으로 알려져 국내 반도체 업계를 긴장시키고 있다.

24일 업계에 따르면 인텔은 이달 진행한 투자자 대상 간담회에서 2016년도 시설투자(Capex) 전망치를 100억달러로 제시했다. 올해 시설투자는 지난해보다 29% 감소한 73억달러 수준으로, PC 시장 불황에 몸을 사리는 듯한 모양새였지만 내년부터는 다시 투자를 늘릴 방침이다. 증가분의 절반인 15억달러는 차세대 메모리 반도체, 12억달러는 10나노 공정 개발에 투입할 전망이다.

반도체 업계에서는 인텔이 올해와 마찬가지로 내년에도 반도체 투자를 크게 줄일 것으로 예상했었다. 인텔의 텃밭인 PC 시장이 극심한 침체를 보이고 반도체 시장 전역에 걸쳐 불황 국면에 접어든 만큼 인텔 역시 보수적인 전략을 택할 것이라는 분석이었다.

하지만 인텔이 100억달러의 투자를 발표하면서 예상이 빗나갔다. 삼성전자가 내년부터 반도체 시설투자 규모를 일부 줄일 것이라는 점을 고려하면 두 회사의 투자 규모는 거의 대등한 수준이다. CPU 사업 중심인 인텔은 그동안 설비투자 비용이 높은 메모리 분야의 삼성전자와 비교해 50~60% 낮은 수준을 나타내 왔다.

인텔의 시설투자 확대에는 차세대 메모리 반도체 공장 설립이 가장 큰 요인으로 작용했다. 인텔 로드맵에 따르면 내년부터 크게 두 개의 메모리 공장에 대한 투자가 본격화하는데, 하나는 마이크론과 함께 3D 크로스포인트 제품을 생산하게 될 미국 유타 공장, 다른 하나는 중국 다롄에서 착공에 돌입할 낸드 신공장이다. 다롄 공장의 경우 중장기적으로 55억달러에 달하는 금액을 쏟아붓는다.

삼성전자, SK하이닉스 등은 이 같은 인텔의 투자 움직임이 3D 크로스포인트 기술의 상용화에 속도를 내기 위한 조치로 판단하고 있다. 앞서 인텔은 3D 크로스포인트 기술을 솔리드스테이트드라이브(SSD)뿐만 아니라 DIMM(듀얼인메모리모듈)으로 확장 적용하겠다고 밝힌 바 있다. 인텔의 독점 시장인 CPU를 메모리와 묶음으로 판매한다는 얘기다.

업계 관계자는 "올 들어 삼성전자와 SK하이닉스가 비휘발성메모리모듈(NVDIMM)에 대한 투자와 연구개발을 강화하고 있는 건 인텔의 메모리 시장 진출과 무관치 않다"며 "CPU 가격이 지속 하락하는 가운데 수익성을 위해 인텔은 메모리 비즈니스를 지속해 확대할 것"이라고 설명했다.

황민규기자 hmg815@dt.co.kr


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