M10 라인서 PC용 본격 생산 … '미세공정 전환' 삼성과 벌어진 격차 좁히기 관건
27일 업계에 따르면 SK하이닉스는 내달부터 20나노 공정에 양산용 웨이퍼를 투입해 7월부터 20나노 D램을 본격적으로 생산한다. 그동안 경기도 이천의 M10 공장에서 양산성을 검증하기 위해 테스트용 웨이퍼를 투입해온 SK하이닉스는 20나노 D램 양산을 위한 막바지 단계에 접어들었다. 다만 지난달 30일 신축 공사 현장에서 사고가 발생한 M14의 경우 가동이 다소 낮춰질 것으로 보여 초기 20나노 D램 생산량은 예상치를 밑돌 것으로 관측된다.
그동안 업계에서는 SK하이닉스의 20나노 초반대 D램 진입이 삼성전자보다 늦으면서 우려 섞인 시각을 보내왔다. 지난 10여 년간 삼성전자와 SK하이닉스가 미세공정 전환속도 측면에서 통상 6개월에서 짧으면 한 분기 정도의 속도 차를 유지했었다는 점을 고려할 때 사실상 미세공정 전환이 한계에 봉착한 것 아니냐는 부정적 견해도 있었다.
삼성전자와 SK하이닉스는 2010년부터 지난해까지 사실상 큰 차이 없는 기술전환 속도를 보여 왔다. 2010년 7월 삼성전자가 세계 최초로 30나노급 D램을 양산한 이후 이듬해 1분기에 SK하이닉스가 곧바로 삼성을 따라잡았다. 삼성전자가 28나노(2x)에 돌입한 2011년에도 약 6개월 만에 SK하이닉스가 28나노에 진입하며 일정한 속도 차이를 유지해왔다.
하지만 20나노 초반대(2z) D램부터는 사정이 달라졌다. 반도체 업계에서는 현재 삼성전자, SK하이닉스가 보유한 반도체 노광장비로 구현 가능한 미세공정 한계치가 25나노급이기 때문에 20나노 초반대, 10나노대 진입을 위해서는 극자외선(Extreme Ultra Violet, EUV) 노광장비를 사용해야 한다는 주장이 힘을 얻기 시작했다.
실제 SK하이닉스와 마이크론 등은 여전히 2013년에 도입한 25나노 공정에 멈춰있다. 이 가운데 삼성전자가 지난해 3월 업계 최초로 20나노 공정에 돌입하며 후발 업체들과 격차를 벌리기 시작했다.
한 반도체 업계 관계자는 "현재 삼성전자와 SK하이닉스가 보유한 노광기술은 45나노 공정용 장비인데 여기에 더블패터닝 방식을 도입해 25나노까지 구현해왔지만 20나노 진입은 이론적으로 불가능하다"며 "EUV가 상용화되지 않은 상황이기 때문에 공정 노하우를 활용한 기술로 판단된다"고 설명했다.
황민규기자 hmg815@dt.co.kr
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