차세대 나노소재로 각광 받고 있는 이황화몰리브데늄(MoS2)을 원하는 위치에 단일층으로 합성할 수 있는 기술이 개발돼 이황화몰리브데늄을 활용한 반도체 소재 응용연구가 활기를 띨 것으로 기대된다.
기초과학연구원(IBS) 나노구조물리연구단 이영희 단장(사진)과 한강희 박사 연구팀은 이황화몰리브데늄을 원하는 위치에 패터닝한 뒤 확산을 촉진하는 물질을 증착해 단일층으로 합성하는 기술을 개발하는 데 성공했다고 11일 밝혔다.
이황화몰리브데늄은 원자 수준의 얇은 막으로 차세대 나노소재로, 그래핀과 구조적으로 유사하나 반도체 특성을 갖고 있다.
이러한 반도체 성질로 태양전지, 유연 디스플레이, 투명 전기소자 등 다양한 광·전자소자에 적용할 수 있다.
연구팀은 이황화몰리브데늄 합성 시 필요한 산화몰리브데늄을 특정 위치에 증착시킨 뒤 확산을 쉽게 해 주는 성장 촉진제를 이용해 양질의 입자를 지닌 이황화몰리브데늄막을 원하는 위치에 합성하는 데 성공했다.
산화몰리브데늄 또는 순수한 몰리브데늄을 고체 형태의 황을 기화시켜 특정 기판 위에 이황화몰리브데늄을 합성한 사례는 있었지만, 원하는 위치에 합성하거나 단일층으로 합성하기 어려운 한계가 있었다.
연구는 미국 펜실베니아대학과 공동연구로 진행됐으며, 연구결과는 '네이처 커뮤니케이션즈(지난 1월 28일자)' 온라인판에 실렸다.
이영희 단장은 "이황화몰리브데늄 합성 중 양립할 수 없었던 한계를 극복했다는 점과 반도체 산업의 핵심 기술인 양질의 물질을 원하는 위치에 합성할 수 있는 방법론을 제시했다는 데 큰 의미가 있다"고 말했다.
대전=이준기기자 bongchu@dt.co.kr
이영희 단장
기초과학연구원(IBS) 나노구조물리연구단 이영희 단장(사진)과 한강희 박사 연구팀은 이황화몰리브데늄을 원하는 위치에 패터닝한 뒤 확산을 촉진하는 물질을 증착해 단일층으로 합성하는 기술을 개발하는 데 성공했다고 11일 밝혔다.
이황화몰리브데늄은 원자 수준의 얇은 막으로 차세대 나노소재로, 그래핀과 구조적으로 유사하나 반도체 특성을 갖고 있다.
이러한 반도체 성질로 태양전지, 유연 디스플레이, 투명 전기소자 등 다양한 광·전자소자에 적용할 수 있다.
연구팀은 이황화몰리브데늄 합성 시 필요한 산화몰리브데늄을 특정 위치에 증착시킨 뒤 확산을 쉽게 해 주는 성장 촉진제를 이용해 양질의 입자를 지닌 이황화몰리브데늄막을 원하는 위치에 합성하는 데 성공했다.
산화몰리브데늄 또는 순수한 몰리브데늄을 고체 형태의 황을 기화시켜 특정 기판 위에 이황화몰리브데늄을 합성한 사례는 있었지만, 원하는 위치에 합성하거나 단일층으로 합성하기 어려운 한계가 있었다.
연구는 미국 펜실베니아대학과 공동연구로 진행됐으며, 연구결과는 '네이처 커뮤니케이션즈(지난 1월 28일자)' 온라인판에 실렸다.
이영희 단장은 "이황화몰리브데늄 합성 중 양립할 수 없었던 한계를 극복했다는 점과 반도체 산업의 핵심 기술인 양질의 물질을 원하는 위치에 합성할 수 있는 방법론을 제시했다는 데 큰 의미가 있다"고 말했다.
대전=이준기기자 bongchu@dt.co.kr
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