시설투자ㆍ생산비용 최소화로 메모리 영업이익률 25%까지 높아질듯
전동수 메모리사업부 사장 뚝심경영 효과
삼성전자가 지난해 말부터 올해 초까지 주요 D램 라인에서 공정을 0.5세대 앞당겨 원가 절감에 성공했다. 이 회사는 지난해 말 D램 25나노 양산에 성공했으며, 일부 라인은 설계만 변화를 주며 칩 사이즈를 축소해 공정 수준을 0.5세대 앞당겼다. 시설투자와 생산비용 최소화로 올해 메모리 사업부 영업이익률을 20%에서 최대 25%까지 높아질 전망이다.
19일 관련업계에 따르면 삼성전자는 월 약 30만장에 육박하는 화성 13라인과 15라인 D램 공정에서 각각 0.5세대 단축에 성공하면서 생산비용 절감에 나섰다.
현재 삼성전자 D램은 13라인에서 월 12만장 이상, 15라인에서 월 15만장 이상 생산 중이다. 13라인은 그동안 최신 선행 기술이 접목돼 생산이 이뤄졌던 곳으로 삼성전자는 지난해 양산에 성공한 25나노(2y 나노) D램 공정을 확대 적용할 예정이다. 특히 25나노는 R&D(연구개발) 지원 없이 바로 양산에 성공한 유일한 사례로 전동수 삼성전자 메모리사업부 사장의 뚝심이 크게 작용한 것으로 전해졌다. 통상 반도체 미세공정 전환은 R&D 개발 성공 이후, 양산 과정으로 넘어가는 것이 일반적이나, 25나노 공정은 그런 R&D 과정을 생략한 채, 바로 양산에 들어갔다. 불과 10% 이하 확률이었지만, 위험을 감수하면서 테크 전환은 물론 수율 또한 양산 수준까지 끌어올리는데도 성공, 0.5세대를 앞당겼다. 물론 25나노 공정을 적용한 비율은 아직 미미하지만, 조금씩 비중을 높힐 것으로 예상된다.
정상적인 방법으로 13라인 테크 전환에 성공했다면, 15라인은 다소 변칙적인 방법을 통해 원가절감을 이뤘다는 평가다. 지금까지 15라인은 36나노 공정을 통해 D램을 생산했지만, 회사는 공정에는 영향을 미치지 않으면서 셀은 그대로 두고, 설계에 변화를 두면서 32나노 공정 전환에 성공했다. 즉, 설비는 그대로 두고 D램 셀엔 변화를 주지 않으면서 설계를 변경해 쉬링크(칩 사이즈 축소)를 이룬 셈이다. 이는 전 사장의 직접 지시로 인해 이뤄진 것으로 전 사장은 1984년부터 약 10년 간 D램 설계팀 과ㆍ차장을 거친 이 분야 전문가다.
이를 통해 삼성전자는 올해 D램 수요 증가 요소가 없음에도 불구, 메모리 사업 영업이익률을 20%에서 최대 25%까지 올릴 계획이다. 투자와 운영비용은 최소화하고 비트그로스(생산량 증가율)는 시장 상승분까지 확대하면서 영업이익을 높일 수 있을 것으로 예상된다.
이 같은 전략에 가장 큰 변수는 2분기 완료 예정인 마이크론의 엘피다 인수가 될 전망이다. 마이크론이 모바일 D램에 강한 엘피다 인수 이후, 엘피다 생산기지가 보다 이른 시간에 정상화 될 경우, 시장 공급량이 다소 증가해 삼성전자 메모리 사업부 이익에도 영향을 끼칠 전망이다. 업계 관계자는 "올해 D램 시장은 큰 수요 증가가 없을 것으로 예상되면서 삼성전자 비트그로스만으로 수요ㆍ공급이 맞춰질 것으로 보이나, 변수는 엘피다"라며 "D램 사업자들은 생산량 증가 보다 원가 절감에 초점을 맞추고 사업을 진행할 것"이라고 말했다.
강승태기자 kangst@
삼성전자가 지난해 말부터 올해 초까지 주요 D램 라인에서 공정을 0.5세대 앞당겨 원가 절감에 성공했다. 이 회사는 지난해 말 D램 25나노 양산에 성공했으며, 일부 라인은 설계만 변화를 주며 칩 사이즈를 축소해 공정 수준을 0.5세대 앞당겼다. 시설투자와 생산비용 최소화로 올해 메모리 사업부 영업이익률을 20%에서 최대 25%까지 높아질 전망이다.
19일 관련업계에 따르면 삼성전자는 월 약 30만장에 육박하는 화성 13라인과 15라인 D램 공정에서 각각 0.5세대 단축에 성공하면서 생산비용 절감에 나섰다.
현재 삼성전자 D램은 13라인에서 월 12만장 이상, 15라인에서 월 15만장 이상 생산 중이다. 13라인은 그동안 최신 선행 기술이 접목돼 생산이 이뤄졌던 곳으로 삼성전자는 지난해 양산에 성공한 25나노(2y 나노) D램 공정을 확대 적용할 예정이다. 특히 25나노는 R&D(연구개발) 지원 없이 바로 양산에 성공한 유일한 사례로 전동수 삼성전자 메모리사업부 사장의 뚝심이 크게 작용한 것으로 전해졌다. 통상 반도체 미세공정 전환은 R&D 개발 성공 이후, 양산 과정으로 넘어가는 것이 일반적이나, 25나노 공정은 그런 R&D 과정을 생략한 채, 바로 양산에 들어갔다. 불과 10% 이하 확률이었지만, 위험을 감수하면서 테크 전환은 물론 수율 또한 양산 수준까지 끌어올리는데도 성공, 0.5세대를 앞당겼다. 물론 25나노 공정을 적용한 비율은 아직 미미하지만, 조금씩 비중을 높힐 것으로 예상된다.
정상적인 방법으로 13라인 테크 전환에 성공했다면, 15라인은 다소 변칙적인 방법을 통해 원가절감을 이뤘다는 평가다. 지금까지 15라인은 36나노 공정을 통해 D램을 생산했지만, 회사는 공정에는 영향을 미치지 않으면서 셀은 그대로 두고, 설계에 변화를 두면서 32나노 공정 전환에 성공했다. 즉, 설비는 그대로 두고 D램 셀엔 변화를 주지 않으면서 설계를 변경해 쉬링크(칩 사이즈 축소)를 이룬 셈이다. 이는 전 사장의 직접 지시로 인해 이뤄진 것으로 전 사장은 1984년부터 약 10년 간 D램 설계팀 과ㆍ차장을 거친 이 분야 전문가다.
이를 통해 삼성전자는 올해 D램 수요 증가 요소가 없음에도 불구, 메모리 사업 영업이익률을 20%에서 최대 25%까지 올릴 계획이다. 투자와 운영비용은 최소화하고 비트그로스(생산량 증가율)는 시장 상승분까지 확대하면서 영업이익을 높일 수 있을 것으로 예상된다.
이 같은 전략에 가장 큰 변수는 2분기 완료 예정인 마이크론의 엘피다 인수가 될 전망이다. 마이크론이 모바일 D램에 강한 엘피다 인수 이후, 엘피다 생산기지가 보다 이른 시간에 정상화 될 경우, 시장 공급량이 다소 증가해 삼성전자 메모리 사업부 이익에도 영향을 끼칠 전망이다. 업계 관계자는 "올해 D램 시장은 큰 수요 증가가 없을 것으로 예상되면서 삼성전자 비트그로스만으로 수요ㆍ공급이 맞춰질 것으로 보이나, 변수는 엘피다"라며 "D램 사업자들은 생산량 증가 보다 원가 절감에 초점을 맞추고 사업을 진행할 것"이라고 말했다.
강승태기자 kangst@
[ 저작권자 ⓒ디지털타임스, 무단 전재 및 재배포 금지 ]
