`세미콘코리아`서 기술 로드맵 공개… 전용 EUV장비 2015년 개발
450㎜ 웨이퍼 도입에 대한 반도체 업계 전반적인 논의가 확산되는 가운데, 관련장비 개발은 2015년, 실제 양산은 2017년 중반 이후 가능해 질 전망이다. 특히 450㎜ 웨이퍼 도입을 위한 핵심 장비인 450㎜용 ASML 극자외선(EUV) 노광 장비는 2015년 장비가 본격적으로 개발, 반도체 업계에 공급될 수 있을 것으로 예상된다.
30일 반도체장비재료전시회인 `세미콘코리아 2013'에서는 첫 날 오프닝 행사를 통해 450㎜ 웨이퍼 전환에 대한 기술 로드맵이 공개됐다.
이 행사에서는 반도체 장비업체인 ASML, 어플라이드머티어리얼즈, KLA텐코, 램리서치, 유진테크놀로지와 유럽 나노반도체 연구기관 IMEC에서 연사로 참여, 회사별 전략을 발표했다.
룩 반덴 호브(Luc Van den hove) IMEC CEO는 "EUV 장비 도입이 많이 늦춰지면서 그만큼 도입에 대한 위험도도 높아지고 있다"며 "하지만, EUV 장비는 반드시 필요하며, EUV를 통해 싱글패터닝 프린팅이 가능하고 비용을 낮춰야 계속 성장할 수 있다"고 말했다. 이어 그는 "신기술 도입을 위한 현재 업체들 연구 개발 예산은 현저히 부족한 상황"이라며 "450㎜ 도입을 위해 업계가 통합해 연구개발을 좀 더 효율적으로 갖고 가야 한다"고 덧붙였다.
450㎜ 실리콘 웨이퍼는 300㎜ 대비 면적이 2.25배 넓고 무게도 2.7배 무겁다. 이에 따른 디플렉션(Deflection)도 3.5배 높아 관리하는 것이 쉽지 않다. 거액의 투자금이 소요되는 것도 업계에서는 부담스럽다. 하지만 현재 미세공정 기술이 한계점에 다다르고 좀 더 효율적인 웨이퍼 생산을 위해선 450㎜ 도입은 필수적이다. 450㎜는 웨이퍼 한 장에서 뽑을 수 있는 칩 개수를 300㎜ 대비 두 배 이상 늘릴 수 있다.
특히 EUV 노광기는 450㎜ 도입을 위한 필수 장비로 현재 20~30나노급에서 사용하는 이머전 노광(+더블 패터닝) 대비 파장(13.5nm)이 짧아 보다 얇게 회로를 그려 넣을 수 있다. 공정 과정도 기존에 비해 몇 단계 축소되면서 450㎜ 도입을 위해 EUV 장비 도입은 필수적이라고 업계는 분석하고 있다. 현재 EUV 장비는 ASML이 거의 독점 공급 중이다.
로데릭 반 에스(Roderik van Es) ASML 시니어 마케팅 매니저는 "올해를 시작으로 450㎜ EUV 장비가 본격 개발되면서 450㎜ 웨이퍼를 통한 양산은 2017년 혹은 2018년이 될 것"이라며 "플랫폼 측면에서는 거의 완성됐지만, 소스 파워쪽 발전이 더 필요하다"고 말했다. 이어 그는 "최초 450㎜ 연구개발용 EUV 장비는 2015년에 선보일 것"이라고 덧붙였다.
현재 450㎜ 웨이퍼 전용 장비에 가장 적극적인 국내 업체는 유진테크다. 이주영 유진테크 부사장은 이 날 연사로 나서 "(450㎜ 장비 개발을 위해선)고온 환경에서 웨이퍼 휨 현상 제어, 가스 흐름 분석과 최적화, 엄격한 스펙 관리가 요구된다"며 "LPCVD 장비는 2014년 상반기, 플라즈마 시스템 장비는 2016년에 본격 양산에 들어갈 것"이라고 말했다.
강승태기자 kangst@
30일 반도체장비재료전시회인 `세미콘코리아 2013'에서는 첫 날 오프닝 행사를 통해 450㎜ 웨이퍼 전환에 대한 기술 로드맵이 공개됐다.
이 행사에서는 반도체 장비업체인 ASML, 어플라이드머티어리얼즈, KLA텐코, 램리서치, 유진테크놀로지와 유럽 나노반도체 연구기관 IMEC에서 연사로 참여, 회사별 전략을 발표했다.
룩 반덴 호브(Luc Van den hove) IMEC CEO는 "EUV 장비 도입이 많이 늦춰지면서 그만큼 도입에 대한 위험도도 높아지고 있다"며 "하지만, EUV 장비는 반드시 필요하며, EUV를 통해 싱글패터닝 프린팅이 가능하고 비용을 낮춰야 계속 성장할 수 있다"고 말했다. 이어 그는 "신기술 도입을 위한 현재 업체들 연구 개발 예산은 현저히 부족한 상황"이라며 "450㎜ 도입을 위해 업계가 통합해 연구개발을 좀 더 효율적으로 갖고 가야 한다"고 덧붙였다.
450㎜ 실리콘 웨이퍼는 300㎜ 대비 면적이 2.25배 넓고 무게도 2.7배 무겁다. 이에 따른 디플렉션(Deflection)도 3.5배 높아 관리하는 것이 쉽지 않다. 거액의 투자금이 소요되는 것도 업계에서는 부담스럽다. 하지만 현재 미세공정 기술이 한계점에 다다르고 좀 더 효율적인 웨이퍼 생산을 위해선 450㎜ 도입은 필수적이다. 450㎜는 웨이퍼 한 장에서 뽑을 수 있는 칩 개수를 300㎜ 대비 두 배 이상 늘릴 수 있다.
특히 EUV 노광기는 450㎜ 도입을 위한 필수 장비로 현재 20~30나노급에서 사용하는 이머전 노광(+더블 패터닝) 대비 파장(13.5nm)이 짧아 보다 얇게 회로를 그려 넣을 수 있다. 공정 과정도 기존에 비해 몇 단계 축소되면서 450㎜ 도입을 위해 EUV 장비 도입은 필수적이라고 업계는 분석하고 있다. 현재 EUV 장비는 ASML이 거의 독점 공급 중이다.
로데릭 반 에스(Roderik van Es) ASML 시니어 마케팅 매니저는 "올해를 시작으로 450㎜ EUV 장비가 본격 개발되면서 450㎜ 웨이퍼를 통한 양산은 2017년 혹은 2018년이 될 것"이라며 "플랫폼 측면에서는 거의 완성됐지만, 소스 파워쪽 발전이 더 필요하다"고 말했다. 이어 그는 "최초 450㎜ 연구개발용 EUV 장비는 2015년에 선보일 것"이라고 덧붙였다.
현재 450㎜ 웨이퍼 전용 장비에 가장 적극적인 국내 업체는 유진테크다. 이주영 유진테크 부사장은 이 날 연사로 나서 "(450㎜ 장비 개발을 위해선)고온 환경에서 웨이퍼 휨 현상 제어, 가스 흐름 분석과 최적화, 엄격한 스펙 관리가 요구된다"며 "LPCVD 장비는 2014년 상반기, 플라즈마 시스템 장비는 2016년에 본격 양산에 들어갈 것"이라고 말했다.
강승태기자 kangst@
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